用于RGBLED的选择性光学滤波器制造技术

一种形成发光结构的方法，该发光结构包括：发光层，该发光层被配置用于发出具有主峰值波长的光；部分反射层；反射层；以及颜色转换层，其中，该发光层至少部分定位于该部分反射层与该反射层之间，并且该颜色转换层至少部分定位于该发光层与该部分反射层之间，其中，该部分反射层被配置用于反射波长在预定波长范围内的光，并透射波长在该预定波长范围外的光，并且其中，该主峰值波长在该预定波长范围内。内。内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于RGB LED的选择性光学滤波器


[0001]本专利技术涉及发光结构以及形成发光结构的方法。特别地但不排他地，本专利技术涉及发光二极管结构中的改进的颜色转换。

技术介绍

[0002]众所周知，发光二极管(light emitting diode，LED)器件为广泛的应用提供高效的光源。LED光源被用于提供传统白光和/或多色光发射。举例来说，多色光发射包括适合用于显示应用的红色、绿色和/或蓝色光发射。由LED提供的所需的光波长通常使用泵浦源LED与颜色转换层(例如荧光粉、量子点(quantum dot，QD)或有机半导体)的组合来实现。这种泵浦源LED产生具有主峰值波长的光输出，并激发颜色转换层中不同波长的光的发射。举例来说，蓝光氮化物材料LED(发射主峰值波长约为450nm的光)被用来提供白色转换光LED发射。蓝色氮化物材料LED还被用来提供红色转换光LED发射以及绿色转换光LED发射。
[0003]然而，虽然诸如蓝色氮化物基材料LED的泵浦源LED可用于高质量、高效率的光发射，但与用来泵浦颜色转换层的源LED相比，应用颜色转换层来本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成发光结构的方法，所述发光结构包括：发光层，所述发光层被配置用于发出具有主峰值波长的光；部分反射层；反射层；以及颜色转换层，其中，所述发光层至少部分定位于所述部分反射层与所述反射层之间，并且所述颜色转换层至少部分定位于所述发光层与所述部分反射层之间，其中，所述部分反射层被配置用于反射波长在预定波长范围内的光，并透射波长在所述预定波长范围外的光，并且其中，所述主峰值波长在所述预定波长范围内。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述颜色转换层包括横向间隔的第一层和第二层，其中，所述第一层被配置用于将具有所述主峰值波长的入射光转换为具有所述预定波长范围外的波长的光，并且所述第二层被配置用于透射具有所述主峰值波长的入射光，并且其中，所述部分反射层在所述颜色转换层的所述第一层上延伸，但不在所述第二层上延伸。3.如权利要求2所述的方法，其中，所述颜色转换层的所述第一层进一步包括横向间隔的第一子层和第二子层，其中，所述第一子层被配置用于将具有所述主峰值波长的入射光转换为具有所述预定波长范围外的第一波长的光，并且所述第二子层被配置用于将具有所述主峰值波长的入射光转换为具有所述预定波长范围外的第二波长的光。4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述部分反射层包括分布式布拉格反射器，并且其中，所述分布式布拉格反射器包括多孔隙GaN。5.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述反射层包括Ag基反射镜。6.如前述权利要求中任一项所述的方法，包括在包括所述发光层的发光器件上沉积所述反射层。7.如前述权利要求中任一项所述的方法，包括在衬底上生长包括所述发光层的发光器件，然后优选地通过湿法刻蚀，去除所述衬底。8.如权利要求7所述的方法，包括在去除所述衬底后沉积所述颜色转换层，其中，在去除所述衬底之后且形成所述颜色转换层之前使所述发光结构粗糙化。9.如前述权利要求中任一项所述的方法，包括将处理器件结合至所述反射层。10.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述发光结构包括GaN基结构。11.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述发光层包括一或多个外延量子阱。12.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述发光层被配置用于发出具有对应于蓝光的主峰值波长的光。13.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述预定波长范围包括小于500nm的光的波长，使得超过500nm的光的波长落在所述预定波长范围之外。...

【专利技术属性】
技术研发人员：萨米尔，
申请(专利权)人：普列斯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：