【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】微型LED器件的增强颜色转换和准直
[0001]本公开涉及发光二极管(Light Emitting Diode,LED)和LED阵列领域。
技术介绍
[0002]微型LED阵列通常被定义为尺寸为100
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100μm2或更小的LED阵列。微型LED阵列是一种自发光微型显示器或投影仪,适用于各种设备,如智能手表、头戴式显示器、平视显示器、摄像机、取景器、多点激励源和微微型投影仪。
[0003]在许多应用中,通过使用能够发射具有一定波长范围的光的微型LED阵列来提供彩色显示器或投影仪是有用的。例如,彩色显示器可以包括在公共基板上具有多个像素的微型LED阵列,其中每个像素可以输出不同颜色的光的组合。例如,像素可以输出红光、绿光和蓝光的组合。这通常通过两种方法中的一种来实现,这两种方法都使用包括多个子像素的像素,每个子像素发射不同颜色的光。在一种方法中,每个子像素可以包括被配置为发射不同波长的光的微型LED。在另一种方法中,每个子像素中的微型LED可以发射相同波长的光,并且可以提供有颜色转换材料。颜色转换材料可以将较高能量的光(泵浦光)转换为较低能量的光(转换光),从而改变子像素发射的光的颜色。颜色转换材料的例子是磷光体和量子点。
[0004]与使用颜色转换材料相关的挑战是有效地将光从泵浦波长转换为转换光的波长。例如,颜色转换材料可以吸收一些转换光,从而降低效率。另一个挑战是仅从设备提取转换光,因为颜色转换材料可能太薄而无法将所有泵浦光转换为转换光。如果任何泵浦光从微型LED泄漏,微型LED的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种像素,包括第一子像素,其中所述第一子像素包括:LED层,其包括发光材料,所述发光材料被配置为从发光表面发射泵浦光,所述泵浦光具有泵浦波长;容器层,其具有容器表面,所述容器表面包括第一容器孔,所述第一容器孔限定延伸穿过所述容器层的第一容器容积;第一颜色转换层,其设置在所述第一容器容积中并被配置为接收来自所述LED层的所述发光表面的光,其中所述第一颜色转换材料包括第一颜色转换材料,所述第一颜色转换材料被配置为吸收所述泵浦波长的光并发射第一转换波长的第一转换光;第一透镜,其设置在所述容器层上的所述第一容器孔上方,包括与所述颜色转换层相邻的内侧和外侧,其中所述外侧包括第一凸面;第一反射器组件,其与所述第一透镜的外侧相邻并符合所述第一凸面,所述第一反射器组件包括:第一反射器,其被配置为反射所述泵浦波长的光并透射第一转换波长的光;以及第二反射器,其被配置为反射所述泵浦波长的光和所述第一转换波长的光;其中所述第二反射器包括第一子像素反射器孔,并且其中所述第一反射器填充所述第一子像素反射器孔。2.根据权利要求1所述的像素,还包括第二子像素,其中所述第二子象素包括:LED层,其包括发光材料,所述发光材料被配置为从发光表面发射泵浦光,所述泵浦光具有所述泵浦波长;容器层,其具有容器表面,所述容器表面包括第二容器孔,所述第二容器孔限定延伸穿过所述容器层的第二容器容积;第二颜色转换层,其设置在所述第二容器容积中并被配置为接收来自所述LED层的发光表面的光,其中所述第二颜色转换层包括第二色转换材料,所述第二色转换材料被配置为吸收所述泵浦波长的光并发射第二转换波长的第二转换光;第二透镜,其设置在所述容器层上的所述第二容器孔上方,包括与所述颜色转换层相邻的内侧和外侧,其中所述外侧包括第二凸面;第二反射器组件,其与所述第二透镜的外侧相邻并符合所述第二凸面,所述第二反射器组件包括:第三反射器,其被配置为反射所述泵浦波长的光并透射所述第二转换波长的光;以及第四反射器,其被配置为反射所述泵浦波长的光和所述第二转换波长的光;其中,所述第四反射器包括第二子像素反射器孔,并且其中所述第三反射器填充所述第二子像素反射器孔。3.根据前述权利要求中任一项所述的像素,还包括发射所述泵浦波长的光的第三子像素,其中所述第三子象素包括:LED层,其包括发光材料,所述发光材料被配置为从发光表面发射泵浦光,所述泵浦光具有所述泵浦波长;容器层,其具有容器表面,所述容器表面包括第三容器孔,所述第三容器孔限定穿过所述容器层延伸的第三容器容积;透镜,其设置在所述容器层上的所述第三容器孔上方,包括与所述容器层相邻的内侧
和外侧,其中所述外侧包括第三凸面;第三反射器组件,其与所述第三透镜的外侧相邻并符合所述第三凸面,所述第三反射器组件包括:第五反射器,其被配置为反射泵浦光,其中所述第五反射器包括第三子像素反射器孔。4.根据权利要求1所述的像素,其中所述第一反射器的中心轴线和所述第二反射器的中心轴线与所述凸面的中心轴线对齐。5.根据前述权利要求中任一项所述的像素,其中所述第一反射器和所述第三反射器中的一者或两者包括叠层结构。6.根据权利要求5所述的像素,其中所述第一反射器和所述第三反射器中的...
【专利技术属性】
技术研发人员:S,
申请(专利权)人:普列斯半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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