Micro-LED显示芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种Micro

【技术实现步骤摘要】
Micro
‑
LED显示芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及微型显示
，具体涉及一种Micro
‑
LED显示芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED显示芯片是在单个芯片上集成高密度的像素发光单元的二维阵列显示器件。Micro
‑
LED显示芯片因具有尺寸小、寿命长、响应速度快以及功耗低等优点，而被广泛应用在增强现实（Augmented Reality，简称AR）、近眼显示（Near
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eyedisplay，简称NED）以及可穿戴显示等领域。
[0003]虽然可以通过波长转换元件对Micro
‑
LED元件发出的激发光进行波长转换得到不同波长的受激光，来实现Micro
‑
LED显示芯片的全彩显示，但是，全彩Micro
‑
LED显示芯片的发光效率仍有待进一步提高。

技术实现思路

[0004]本专利技术公开一种Micro
‑<br/>LED显示芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Micro
‑
LED显示芯片的制备方法，其特征在于，包括：在驱动面板的一侧形成多个Micro
‑
LED元件，所述Micro
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LED元件在所述驱动面板的单独驱动下发出激发光；在所述驱动面板的一侧形成多个波长转换元件，所述多个波长转换元件与所述多个Micro
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LED元件分别对应设置，所述波长转换元件至少覆盖对应的所述Micro
‑
LED元件的出光面，所述波长转换元件将所述Micro
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LED元件发出的激发光转换为受激光，所述受激光的颜色与所述激发光的颜色不同；在所述波长转换元件的侧面形成一反光层，所述波长转换元件的侧面为与所述波长转换元件的出光面相交的表面，所述反光层反射所述激发光以及所述受激光。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述驱动面板的一侧形成多个波长转换元件包括：在所述驱动面板的一侧形成覆盖所述Micro
‑
LED元件的牺牲层；在所述牺牲层上形成多个开孔，每一所述开孔至少暴露对应的所述Micro
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LED元件的出光面；在所述多个开孔内分别形成多个波长转换元件，所述多个波长转换元件分别覆盖所述多个开孔内的Micro
‑
LED元件，以使所述波长转换元件至少包覆所述Micro
‑
LED元件的出光面；去除所述牺牲层。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述牺牲层包括光刻胶层，所述在所述牺牲层上形成多个开孔包括：对所述光刻胶层进行曝光显影，使得所述光刻胶层形成所述多个开孔。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述牺牲层上形成多个开孔之后且所述在所述多个开孔内分别形成多个波长转换元件之前还包括：在所述牺牲层表面形成第一钝化层，所述第一钝化层至少覆盖所述开孔的侧壁及底部；所述去除所述牺牲层包括：去除所述牺牲层以及附着在所述牺牲层表面的第一钝化层，保留覆盖在所述Micro
‑
LED元件表面的第一钝化层。5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述牺牲层上形成多个开孔包括：对所述牺牲层进行刻蚀形成截面形状为倒梯形的开孔，所述开孔的侧壁的倾斜角度不小于50度；所述在所述多个开孔内分别形成多个波长转换元件包括：在所述多个开孔内分别形成多个截面形状为倒梯形的波长转换元件，以使在所述波长转换元件侧面形成的反光层为反光杯结构，所述反光层的倾斜角度不小于50度。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述驱动面板的一侧形成多个波长转换元件之前，还包括：在所述驱动面板的一侧形成第三钝化层，所述第三钝化层包覆所述Micro
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LED元件的出光面和侧面，以使相邻的所述Micro
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LED元件相互绝缘。7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在去除所述牺牲层之后包括：在所述波长转换元件表面形成反光层；采用无掩膜干法刻蚀工艺去除所述波长转换元件出光面上的反光层，保留所述波长转
换元件侧面的反光层。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述波长转换元件的侧面形成一反光层之后还包括：在相邻的所述Micro
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LED元件及其对应的波长转换元件之间形成挡光墙或者平坦化层。9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述波长转换元件的侧面形成一反光层之后还包括：在所述驱动面板的一侧形成多个滤光元件，所述多个滤光元件与所述多个波长转换元件分别对应设置，所述滤光元件至少覆盖对应的所述波长转换元件的出光面，所述滤光元件用于过滤其他颜色光并透射对应的所述波长转换元件发出的受激光。10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄永漳，仉旭，张闹，
申请(专利权)人：镭昱光电科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：