【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电力用半导体元件的栅极驱动电路
[0001]本申请涉及电力用半导体元件的栅极驱动电路。
技术介绍
[0002]电力转换装置通常通过使IGBT或MOSFET这样的电力用半导体元件的栅极电极的电荷进行充放电而对电力用半导体元件的主电流进行通断切换,在直流与交流之间进行电力转换。通常,半导体元件的特性随温度而变化。因此,针对使电力用半导体元件的栅极电极的电荷进行充放电、即对栅极电流进行控制的栅极驱动电路,提出了用于对电力用半导体元件的温度特性进行补偿的各种设计。例如,在专利文献1中,为了根据温度条件等的变化对电力用半导体元件的栅极电流进行调整,提出了对电力用半导体元件的温度进行检测而对断开时的栅极电阻进行切换的技术。在该结构的情况下,用于将栅极电阻阶段性地进行切换的控制电路变得复杂。
[0003]另外,公开了一种栅极驱动电路,其针对温度变化而自动地实现通断损耗的降低和通断噪声的降低这两者的兼顾(专利文献2)。在专利文献2中,通过调整电力用半导体元件的接通时的栅极电流而降低通断时的噪声。在构成逆变器等开关电源的情况下,有时串 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电力用半导体元件的栅极驱动电路,其通过基于输入进来的栅极信号使具有栅极电极的电力用半导体元件的所述栅极电极的电荷进行充电、放电,从而对所述电力用半导体元件的主电流进行通/断控制,在该电力用半导体元件的栅极驱动电路中,在所述栅极信号切换为断开信号时,将使所述栅极电极的电荷进行放电的栅极电流控制为,随着所述电力用半导体元件的温度的上升而变大,随着所述主电流的上升而变小。2.根据权利要求1所述的电力用半导体元件的栅极驱动电路,其中,在所述栅极信号切换为断开信号时,基于对所述电力用半导体元件的温度进行检测得到的温度检测值与所述主电流的检测值即电流检测值之差对使所述栅极电极的电荷放电的栅极电流进行控制。3.根据权利要求2所述的电力用半导体元件的栅极驱动电路,其中,所述温度检测值及所述电流检测值分别是作为相对于基准电位的电压而检测到的值,所述温度检测值是随着温度的上升而下降的正的电压,所述电流检测值是随着所述主电流的上升而绝对值变大的负的电压。4.根据权利要求3所述的电力用半导体元件的栅极驱动电路,其中,具有所述温度检测值被输入至非反转输入端子且所述电流检测值被...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。