【技术实现步骤摘要】
PMOS管的控制电路、功率开关电路及开关电源
[0001]本申请涉及开关电源
,特别是涉及一种PMOS管的控制电路、功率开关电路及开关电源。
技术介绍
[0002]目前,一般是利用控制器通过拉高或拉低PMOS管的栅极的电平来控制PMOS管的开或关,以实现对功率电路的电源或信号进行导通或阻断。
[0003]但是,常用的控制器的输出电压一般是1.8V,当功率电路中的电压为高压(5V
‑
30V)时,控制器的电源需要与功率电路保持一致以保证功率电路的稳定性,然而控制器输出高电平并不能关闭PMOS管,无法控制PMOS管的开关。
技术实现思路
[0004]本申请至少提供一种PMOS管的控制电路、功率开关电路及开关电源,以解决上述问题。
[0005]本申请第一方面提供了一种PMOS管的控制电路,包括:控制器以及驱动电路,所述驱动电路的第一端连接于所述控制器,所述驱动电路的第二端接地,所述驱动电路的第三端与所述PMOS管的源极连接,所述驱动电路的第四端与所述PMOS管的栅极连接;其中, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种PMOS管的控制电路,其特征在于,包括:控制器;以及驱动电路,所述驱动电路的第一端连接于所述控制器,所述驱动电路的第二端接地,所述驱动电路的第三端与所述PMOS管的源极连接,所述驱动电路的第四端与所述PMOS管的栅极连接;其中,所述控制器输出高电压时,控制所述驱动电路使得所述PMOS管的栅极接地,进而使得所述PMOS管开启;所述控制器输出低电压时,控制所述驱动电路使得所述PMOS管的栅极电压与源极电压相同,进而使得所述PMOS管关闭。2.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述驱动电路包括NMOS管、第一电阻、第二电阻以及第一电容,其中,所述NMOS管的栅极作为所述驱动电路的第一端,所述NMOS管的源极作为所述驱动电路的第二端,所述NMOS管的漏极经过所述第一电阻作为所述驱动电路的第三端,所述NMOS管的漏极还经过所述第二电阻作为所述驱动电路的第四端,所述第一电容连接于所述驱动电路的第三端和所述驱动电路的第四端之间。3.根据权利要求2所述的控制电路,其特征在于,所述第一电阻的阻值大于所述第二电阻的阻值。4.根据权利要求2所述的控制电路,其特征在于,所述驱动电路还包括第三电阻,所述第三电阻的一端与所述NMOS管的栅极连接,另一端与所述NMOS管的源极连接并接地。5.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述控制电路还包括第二电容和第三电容,所述第二电容和所述第三电容并联,并联所述第二电容和所述第三电容的一端与所述PMOS管的漏极连接,另一端接地。6.一种功率开关电路,其特征在于,包括:PMOS管,所述PMOS管的源极和漏极与外部电路连接;...
【专利技术属性】
技术研发人员:方洁青,
申请(专利权)人:深圳天珑无线科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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