开关控制方法、开关控制电路和电气设备技术

本申请公开了一种开关控制方法、开关控制电路和电气设备，属于电力电子技术领域。该方法包括：当控制器检测到电控开关的开通触发事件时，向第一半导体开关发送第一开通信号，在满足第一指定条件时向第二半导体开关发送第二开通信号，在满足第二指定条件时向第一半导体开关发送第一关断信号；当满足第三指定条件时向第一半导体开关发送第三开通信号，在满足第四指定条件时向第二半导体开关发送第二关断信号，在满足第五指定条件时，向第一半导体开关发送第三关断信号。采用本申请，通过第一半导体开关实现了第二半导体开关的软开关，由禁带宽度较大的第一半导体开关承担开关损耗，降低了电控开关的开关损耗。降低了电控开关的开关损耗。降低了电控开关的开关损耗。

【技术实现步骤摘要】
Transistor，氮化镓
‑
高电子迁移率晶体管)中的至少一种，所述第二半导体开关包括Si Mosfet(Silicon Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，硅
‑
金属
‑
氧化层半导体场效晶体管)和Si IGBT(Silicon Insulated Gate Bipolar Transistor，硅
‑
绝缘栅双极型晶体管)中的至少一种；或者，
[0011]所述第一半导体开关包括GaN HEMT，所述第二半导体开关包括SiC Mosfet。
[0012]在一种可能的实现方式中，所述第一指定条件包括：向所述第一半导体开关发送第一开通信号后的时长达到第一时长阈值；
[0013]所述第二指定条件包括：向所述第二半导体开关发送第二开通信号后的时长达到第二时长阈值；
[0014]所述第四指定条件包括：向所述第一半导体开关发送第三开通信号后的时长达到第三时长阈值；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种开关控制方法，其特征在于，所述开关控制方法应用于具有开关控制电路(1)的电气设备，所述开关控制电路(1)包括控制器(11)和电控开关(12)，所述电控开关(12)包括相并联的至少一个第一半导体开关(121)和至少一个第二半导体开关(122)，所述第一半导体开关(121)的禁带宽度大于所述第二半导体开关(122)的禁带宽度；所述方法包括：当所述控制器(11)检测到所述电控开关(12)的开通触发事件时，所述控制器(11)向所述第一半导体开关(121)发送第一开通信号，在向所述第一半导体开关(121)发送第一开通信号后满足第一指定条件时，向所述第二半导体开关(122)发送第二开通信号，在向所述第二半导体开关(122)发送第二开通信号后满足第二指定条件时，向所述第一半导体开关(121)发送第一关断信号；当向所述第一半导体开关(121)发送第一关断信号后满足第三指定条件时，所述控制器(11)向所述第一半导体开关(121)发送第三开通信号，在向所述第一半导体开关(121)发送第三开通信号后满足所述第四指定条件时，向所述第二半导体开关(122)发送第二关断信号，在向所述第二半导体开关(122)发送第二关断信号后满足第五指定条件时，向所述第一半导体开关(121)发送第三关断信号。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半导体开关(121)包括SiC Mosfet和GaN HEMT中的至少一种，所述第二半导体开关(122)包括SiMosfet和SiIGBT中的至少一种；或者，所述第一半导体开关(121)包括GaN HEMT，所述第二半导体开关(122)包括SiC Mosfet。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一指定条件包括：向所述第一半导体开关(121)发送第一开通信号后的时长达到第一时长阈值；所述第二指定条件包括：向所述第二半导体开关(122)发送第二开通信号后的时长达到第二时长阈值；所述第四指定条件包括：向所述第一半导体开关(121)发送第三开通信号后的时长达到第三时长阈值；所述第五指定条件包括：向所述第二半导体开关(122)发送第二关断信号后的时长达到第四时长阈值。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第三指定条件包括：所述控制器(11)检测到所述电控开关(12)的关断触发事件；所述第一时长阈值和第三时长阈值均为所述第一半导体开关(121)的开通时长与第一延长时长之和，其中，所述第一延长时长大于或等于0；所述第二时长阈值为所述第二半导体开关(122)的开通时长与第二延长时长之和，其中，所述第二延长时长大于或等于0；所述第四时长阈值为所述第二半导体开关(122)的关断时长与第三延长时长之和，其中，所述第三延长时长大于或等于0。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述开通触发事件包括所述电控开关(12)的需求开通时长；所述第一时长阈值为所述第一半导体开关(121)的开通时长与第一延长时长之和，其
中，所述第一延长时长大于或等于0；所述第四时长阈值为所述第二半导体开关(122)的关断时长与第三延长时长之和，其中，所述第三延长时长大于或等于0；所述第三指定条件包括：向所述第一半导体开关(121)发送第一关断信号后的时长达到第五时长阈值；所述在向所述第二半导体开关(122)发送第二开通信号后满足第二指定条件时，向所述第一半导体开关(121)发送第一关断信号，包括：将预设初始值确定为所述第五时长阈值，周期性获取所述第一半导体开关(121)的实际结温值，如果所述实际结温值小于目标结温值，则将第五时长阈值减小目标数值，如果所述实际结温值大于所述目标结温值，则将所述第五时长阈值增大所述目标数值；基于所述需求开通时长、所述第一时长阈值、所述第四时长阈值和所述第五时长阈值，确定所述第二时长阈值和所述第三时长阈值；当向所述第二半导体开关(122)发送第二开通信号后的时长达到所述二时长阈值时，向所述第一半导体开关(121)发送第一关断信号。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述开通触发事件包括所述电控开关(12)的需求开通时长；所述第一时长阈值为所述第一半导体开关(121)的开通时长与第一延长时长之和，其中，所述第一延长时长大于或等于0；所述第四时长阈值为所述第二半导体开关(122)的关断时长与第三延长时长之和，其中，所述第三延长时长大于或等于0；所述第三指定条件包括：向所述第一半导体开关(121)发送第一关断信号后的时长达到第五时长阈值；...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶勇，王小珺，江添洋，
申请(专利权)人：美的集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：