工艺系统技术方案

技术编号:37666738 阅读:39 留言:0更新日期:2023-05-26 04:25
本发明专利技术提供一种工艺系统。气体分析装置(1)具有:样品腔室(11),其具备介电性的壁体构造(12),仅流入作为测定对象的样品气体(9);等离子体生成机构(13),其借由介电性的壁体构造来通过电场和/或磁场在被减压后的样品腔室内生成等离子体(18);以及分析单元(21),其借由所生成的等离子体来分析样品气体。能够提供一种即使是含有腐蚀性气体的样品气体也能够长时间、高精度地进行分析的气体分析装置。高精度地进行分析的气体分析装置。高精度地进行分析的气体分析装置。

【技术实现步骤摘要】
工艺系统
[0001]本申请是申请日为2020年3月24日、申请号为202080024324.2、专利技术名称为气体分析装置的中国专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种气体分析装置。

技术介绍

[0003]在日本特开2017

107816号公报中公开了一种与提供能够确保长寿命的热电子发射用灯丝、以及提高使用该热电子发射用灯丝的质谱仪的分析精度有关的技术。因此,公开了一种热电子发射用灯丝,其具备流过电流的芯材、以及以覆盖所述芯材的表面的方式形成的电子发射层,该热电子发射用灯丝的特征在于,所述电子发射层具有实质阻断气体的致密性。
[0004]在日本特开2016

27327号公报中记载了以下内容:在辉光放电发光分析装置(GD

OES、Glow discharge optical emission spectrometry)中,试样保持构件具备具有试样固定面的电极(第二电极)、以及将试样固定面配置于内侧的外筒部及内筒部(抵接部)。在试样与辉光放电管的开口部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种工艺系统,具有:工艺腔室,在所述工艺腔室中实施等离子体工艺;气体分析装置,从所述工艺腔室向所述气体分析装置供给样品气体;排气系统,用于借由所述气体分析装置排出所述样品气体;以及工艺控制单元,其基于所述气体分析装置的测定结果,来对在所述工艺腔室内实施的至少一个等离子体工艺进行控制。2.根据权利要求1所述的工艺系统,其中,所述气体分析装置具有:样品腔室,其具备介电性的壁体构造,并且流入所述样品气体;等离子体生成机构,其借由所述介电性的壁体构造来通过电场和/或磁场在被所述排气系统减压后的所述样品腔室内生成等离子体;以及分析单元,其借由所生成的所述等离子体来分析所述样品气体。3.根据权利要求2所述的工艺系统,其中,所述分析单元具有:过滤器单元,其对所述等离子体中的被离子化的气体进行过滤;检测器单元,其用于检测过滤后的离子;以及壳体,其收纳所述过滤器单元和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:高桥直树柏拉卡斯
申请(专利权)人:ATONARP株式会社
类型:发明
国别省市:

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