同位素丰度比测量方法、装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种同位素丰度比测量方法、装置及电子设备，应用于磁式质谱仪，第一质量和第二质量的同位素离子束分别包括第一同位素和第二同位素；目标质量的同位素离子束为第一质量或第二质量的同位素离子束；当离子束轨道发生偏移时，计算第三质量的同位素离子束对应的第三偏移测量电压信号与目标质量的同位素离子束对应的目标偏移测量电压信号的差值，得到检测信号；基于检测信号，计算第一同位素和第二同位素的丰度比。该方式基于第三质量的同位素离子束对应的第三偏移测量电压信号与目标质量的同位素离子束对应的目标偏移测量电压信号的差值，计算第一同位素和第二同位素的丰度比，可以实现离子束轨道追踪及调整，从而提高测量的精确度。而提高测量的精确度。而提高测量的精确度。

【技术实现步骤摘要】
同位素丰度比测量方法、装置及电子设备


[0001]本专利技术涉及同位素丰度比测量
，尤其是涉及一种同位素丰度比测量方法、装置及电子设备。

技术介绍

[0002]质谱信号测量时，要求使所测谱峰的测量点峰位置保持在峰中心位置上，即离子束对应的轨道中心落在其对应的焦点中心保持不变，才能保证测量值的精确度。但H(磁场强度)和U(电场强度)的电子学本身的不稳定性的变化，外界干扰(如机械振动、周边电磁场干扰)等因素都能引起峰中心的偏移，现有技术目前不能实现峰位置(即离子束轨道)追踪及调整，因此影响测量的精确度。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供同位素丰度比测量方法、装置及电子设备，以实现峰位置(即离子束轨道)追踪及调整，从而提高测量的精确度。
[0004]本专利技术提供的一种同位素丰度比测量方法，应用于磁式质谱仪，方法包括：
[0005]对待测分子进行电离处理，得到第一质量的同位素离子束、第二质量的同位素离子束和第三质量的同位素离子束；其中，第一质量的同位素离子束包括第一同位素；第二质量的同位素离子束包括第二同位素；第三质量的同位素离子束对应的第三测量电压信号与目标质量的同位素离子束对应的目标测量电压信号相等；目标质量的同位素离子束为第一质量的同位素离子束或第二质量的同位素离子束；
[0006]当离子束轨道发生偏移时，确定目标质量的同位素离子束对应的目标偏移测量电压信号，以及第三质量的同位素离子束对应的第三偏移测量电压信号；
[0007]计算第三偏移测量电压信号与目标偏移测量电压信号的差值，得到检测信号；
[0008]基于检测信号，计算第一同位素和第二同位素的丰度比。
[0009]进一步的，方法还包括：
[0010]将第一质量的同位素离子束发射至第一焦点，得到第一质量的离子束轨道；将第二质量的同位素离子束发射至第二焦点，得到第二质量的离子束轨道；将第三质量的同位素离子束发射至第三焦点，得到第三质量的离子束轨道。
[0011]进一步的，第三质量的同位素离子束对应的第三测量电压信号通过以下方式得到：
[0012]通过第三质量的离子束轨道预设位置上的第三离子收集极，接收第三质量的同位素离子束；
[0013]通过与第三离子收集极连接的第三离子流放大器，获取第三质量的同位素离子束对应的第三测量电压信号。
[0014]进一步的，计算第一同位素和第二同位素的丰度比的步骤包括：
[0015]基于检测信号，控制磁场强度，以使第一质量的离子束轨道的中心锁定在第一焦
点中心上，第二质量的离子束轨道的中心锁定在第二焦点中心上；
[0016]基于第一焦点中心对应的第一测量电压信号和第二焦点中心对应的第二测量电压信号，确定第一同位素和第二同位素的丰度比。
[0017]进一步的，基于检测信号，控制磁场强度，以使第一质量的离子束轨道的中心锁定在第一焦点中心上，第二质量的离子束轨道的中心锁定在第二焦点中心上的步骤包括：
[0018]将检测信号反馈至电磁铁供电电路，调整电磁铁的供电，以控制磁场强度；
[0019]基于磁场强度，将第一质量的离子束轨道的中心锁定在第一焦点中心上，第二质量的离子束轨道的中心锁定在第二焦点中心上。
[0020]进一步的，基于第一焦点中心对应的第一测量电压信号和第二焦点中心对应的第二测量电压信号，确定第一同位素和第二同位素的丰度比的步骤包括：
[0021]通过第一质量的离子束轨道预设位置上的第一离子收集极，接收第一质量的同位素离子束，通过第二质量的离子束轨道预设位置上的第二离子收集极，接收第二质量的同位素离子束；
[0022]通过与第一离子收集极连接的第一离子流放大器，获取第一质量的同位素离子束对应的第一测量电压信号，通过与第二离子收集极连接的第二离子流放大器，获取第二质量的同位素离子束对应的第二测量电压信号；
[0023]计算第一测量电压信号与第二测量电压信号的比值，得到第一同位素和第二同位素的丰度比。
[0024]本专利技术提供的一种同位素丰度比测量装置，装置设置于磁式质谱仪，装置包括：
[0025]获取模块，用于对待测分子进行电离处理，得到第一质量的同位素离子束、第二质量的同位素离子束和第三质量的同位素离子束；其中，第一质量的同位素离子束包括第一同位素；第二质量的同位素离子束包括第二同位素；第三质量的同位素离子束对应的第三测量电压信号与目标质量的同位素离子束对应的目标测量电压信号相等；目标质量的同位素离子束为第一质量的同位素离子束或第二质量的同位素离子束；
[0026]确定模块，用于当离子束轨道发生偏移时，确定目标质量的同位素离子束对应的目标偏移测量电压信号，以及第三质量的同位素离子束对应的第三偏移测量电压信号；
[0027]第一计算模块，用于计算第三偏移测量电压信号与目标偏移测量电压信号的差值，得到检测信号；
[0028]第二计算模块，用于基于检测信号，计算第一同位素和第二同位素的丰度比。
[0029]进一步的，装置还包括：
[0030]第二获取模块，用于将第一质量的同位素离子束发射至第一焦点，得到第一质量的离子束轨道；将第二质量的同位素离子束发射至第二焦点，得到第二质量的离子束轨道；将第三质量的同位素离子束发射至第三焦点，得到第三质量的离子束轨道。
[0031]本专利技术提供的一种电子设备，电子设备包括处理器和存储器，存储器存储有能够被处理器执行的计算机可执行指令，处理器执行计算机可执行指令以实现上述任一项的同位素丰度比测量方法。
[0032]本专利技术提供的一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，计算机可执行指令在被处理器调用和执行时，计算机可执行指令促使处理器实现上述任一项的同位素丰度比测量方法。
[0033]本专利技术提供的同位素丰度比测量方法，应用于磁式质谱仪，方法包括：第一质量和第二质量的同位素离子束分别包括第一同位素和第二同位素；目标质量的同位素离子束为第一质量的同位素离子束或第二质量的同位素离子束；当离子束轨道发生偏移时，计算第三质量的同位素离子束对应的第三偏移测量电压信号与目标质量的同位素离子束对应的目标偏移测量电压信号的差值，得到检测信号；基于检测信号，计算第一同位素和第二同位素的丰度比。该方式基于第三质量的同位素离子束对应的第三偏移测量电压信号与目标质量的同位素离子束对应的目标偏移测量电压信号的差值，计算第一同位素和第二同位素的丰度比，可以实现离子束轨道追踪及调整，从而提高测量的精确度。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1为本专利技术实施例提供的一种同位素丰度比测量方法的流程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同位素丰度比测量方法，其特征在于，所述方法应用于磁式质谱仪，所述方法包括：对待测分子进行电离处理，得到第一质量的同位素离子束、第二质量的同位素离子束和第三质量的同位素离子束；其中，所述第一质量的同位素离子束包括第一同位素；所述第二质量的同位素离子束包括第二同位素；所述第三质量的同位素离子束对应的第三测量电压信号与目标质量的同位素离子束对应的目标测量电压信号相等；所述目标质量的同位素离子束为所述第一质量的同位素离子束或第二质量的同位素离子束；当离子束轨道发生偏移时，确定所述目标质量的同位素离子束对应的目标偏移测量电压信号，以及所述第三质量的同位素离子束对应的第三偏移测量电压信号；计算所述第三偏移测量电压信号与所述目标偏移测量电压信号的差值，得到检测信号；基于所述检测信号，计算所述第一同位素和所述第二同位素的丰度比。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：将所述第一质量的同位素离子束发射至第一焦点，得到第一质量的离子束轨道；将所述第二质量的同位素离子束发射至第二焦点，得到第二质量的离子束轨道；将所述第三质量的同位素离子束发射至第三焦点，得到第三质量的离子束轨道。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第三质量的同位素离子束对应的第三测量电压信号通过以下方式得到：通过所述第三质量的离子束轨道预设位置上的第三离子收集极，接收所述第三质量的同位素离子束；通过与所述第三离子收集极连接的第三离子流放大器，获取所述第三质量的同位素离子束对应的第三测量电压信号。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，基于所述检测信号，计算所述第一同位素和所述第二同位素的丰度比的步骤包括：基于所述检测信号，控制磁场强度，以使所述第一质量的离子束轨道的中心锁定在所述第一焦点中心上，所述第二质量的离子束轨道的中心锁定在所述第二焦点中心上；基于所述第一焦点中心对应的第一测量电压信号和所述第二焦点中心对应的第二测量电压信号，确定所述第一同位素和所述第二同位素的丰度比。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述检测信号，控制磁场强度，以使所述第一质量的离子束轨道的中心锁定在第一焦点中心上，所述第二质量的离子束轨道的中心锁定在第二焦点中心上的步骤包括：将所述检测信号反馈至电磁铁供电电路，调整所述电磁铁的供电，以控制磁场强度；基于所述磁场强度，将所述第一质量的离子束轨道的中心锁定在第一焦点中心上，所述第二质量的离子束轨道的中心锁定在第二焦点中心上。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝学元，李冀锴，应斌，
申请(专利权)人：成都安特伟业科学仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：