一种高电流密度垂直供配电模组及其封装工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种高电流密度垂直供配电模组及其封装工艺，属于微电子封装技术领域，解决了现有技术中供配电模组体积尺寸大、电流密度低、埋入式芯片封装热阻高、散热困难、结温过高的问题。该模组中，底部电极、封装基板、功率器件和顶部电极层叠；集成电路芯片和无源器件埋置于封装基板内部且在垂直方向上叠层。该封装工艺包括将集成电路芯片埋置于第一芯板中，将无源器件埋置于第二芯板中，压合构成封装基板；对封装基板进行钻孔、孔壁金属化和塞孔得到待封装整体；对待封装整体进行灌封、研磨和表面金属化。该模组和封装工艺能够有效提高电流密度。高电流密度。高电流密度。

【技术实现步骤摘要】
一种高电流密度垂直供配电模组及其封装工艺


[0001]本专利技术属于微电子封装
，尤其涉及一种高电流密度垂直供配电模组及其封装工艺。

技术介绍

[0002]在高算力密度、高能效比与功能集成需求的牵引下，高性能计算、毫米波等应用系统的供配电方式需要从传统水平结构转变为垂直结构，负载芯片的功耗密度要求垂直供配电模组电流密度高于1A/mm2。
[0003]然而，传统水平供配电结构中的供配电模组体积尺寸大、电流密度低(≤0.3A/mm2)，无法满足垂直供配电系统中模组面积不超过负载芯片面积、模组端口与负载芯片引脚垂直互连的结构需求。

技术实现思路

[0004]鉴于以上分析，本专利技术旨在提供一种高电流密度垂直供配电模组及其封装工艺，解决了现有技术中水平供配电结构中的供配电模组体积尺寸大、电流密度低、埋入式芯片封装热阻高、散热困难、结温过高的问题。
[0005]本专利技术的目的主要是通过以下技术方案实现的：
[0006]本专利技术提供了一种高电流密度垂直供配电模组，包括封装基板、功率器件、侧面电极、底部电极、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高电流密度垂直供配电模组，其特征在于，包括封装基板、功率器件、侧面电极、底部电极、顶部电极、集成电路芯片和无源器件；所述底部电极、封装基板、功率器件和顶部电极依次自下而上层叠；所述侧面电极位于封装基板的侧面，所述顶部电极通过侧面电极与封装基板连接；所述集成电路芯片和无源器件埋置于封装基板内部，且两者在垂直方向上叠层布置。2.根据权利要求1所述的高电流密度垂直供配电模组，其特征在于，还包括设于功率器件侧面的散热件。3.根据权利要求2所述的高电流密度垂直供配电模组，其特征在于，所述散热件通过绝缘导热层与功率器件直接接触连接。4.根据权利要求3所述的高电流密度垂直供配电模组，其特征在于，所述绝缘导热层的材料为导热树脂。5.根据权利要求1所述的高电流密度垂直供配电模组，其特征在于，所述侧面电极、顶部电极和/或底部电极作为信号端口和/或电源端口。6.根据权利要求1所述的高电流密度垂直供配电模组，其特征在于，所述侧面电极与封装基板内部的金属层直接连接。7.根据权利要求1所述的高电流密度垂直供配电模组，其特征在于，所述集成电路芯片的...

【专利技术属性】
技术研发人员：尤祥安，侯峰泽，王启东，丁飞，方志丹，陈钏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：