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本发明公开了一种高电流密度垂直供配电模组及其封装工艺，属于微电子封装技术领域，解决了现有技术中供配电模组体积尺寸大、电流密度低、埋入式芯片封装热阻高、散热困难、结温过高的问题。该模组中，底部电极、封装基板、功率器件和顶部电极层叠；集成电路芯...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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