一种用于Nand闪存的偏移电压确定方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及存储技术领域，尤其涉及一种用于Nand闪存的偏移电压确定方法及装置。方法包括：将偏移电压候选表保存到DDR中，其中，所述偏移电压候选表包括若干参考电压；遍历Nand闪存正在使用的存储块以获取当前使用字线；基于预先创建的存储页与区域对应关系为所述当前使用字线匹配目标存储页；判断正在使用存储块的PE值、RT值以及RD值是否达到触发条件；响应于达到触发条件，则利用DDR中的若干参考电压依次对所述目标存储页进行读操作，并记录每次读取操作对应的错误比特率；将错误比特率最小值对应的参考电压确定为最优偏移电压。本发明专利技术的方案，实现了动态搜索偏移电压，提高Nand闪存生命周期各个阶段的读操作成功率。存生命周期各个阶段的读操作成功率。存生命周期各个阶段的读操作成功率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于Nand闪存的偏移电压确定方法及装置


[0001]本专利技术涉及存储
，尤其涉及一种用于NAND闪存的偏移电压确定方法、装置、设备及介质。

技术介绍

[0002]Nand Flash(闪存)是目前应用广泛的存储介质，其原理是通过存储在存储单元中不同的电荷量呈现出不同的电压值来记录数据。但由于NAND颗粒的电气特性，在其生命周期中随着PE等因素的变化，会使存储单元存储电荷的特性发生改变，因此参考电压轴也要随之改变，否则会导致BER过高，超出解码能力导致读取失败。在该领域中，普遍通过固定查表(Fixed Read Tables)的方法来解决上述问题。在Nand Flash生命周期不同阶段(PE,RT,RD三个维度)中选择最优的三个参考电压(FRT1,FRT2,FRT3)组合来生成FRT表。当Nand Flash读操作时，可根据自身所处的阶段选择FRT表中对应阶段的三组参考电压读取数据，从而提高成功率。
[0003]目前，大部分Nand Flash生产厂商只提供一份参考电压候选表，如何根据候选表生成合适的FRT表目前的测试方法较本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于Nand闪存的偏移电压确定方法，其特征在于，所述方法包括：将偏移电压候选表保存到DDR中，其中，所述偏移电压候选表包括若干参考电压；遍历Nand闪存正在使用的存储块以获取当前使用字线；基于预先创建的存储页与区域对应关系为所述当前使用字线匹配目标存储页；判断正在使用存储块的PE值、RT值以及RD值是否达到触发条件；响应于达到触发条件，则利用DDR中的若干参考电压依次对所述目标存储页进行读操作，并记录每次读取操作对应的错误比特率；将错误比特率最小值对应的参考电压确定为最优偏移电压。2.根据权利要求1所述的用于Nand闪存的偏移电压确定方法，其特征在于，基于预先创建的存储页与区域对应关系为所述当前使用字线匹配目标存储页，包括：将每个存储块内所有字线划分成若干区域，其中，属于同一区域内字线均连续；为每个区域分别指定字线，以及为指定字线指定存储页；基于所述指定字线和所述指定存储页创建存储页与字线对应关系；将存储页与字线对应关系中字线小于当前使用字线对应的所有存储页作为所述目标存储页。3.根据权利要求1所述的用于Nand闪存的偏移电压确定方法，其特征在于，判断正在使用存储块的PE值、RT值以及RD值是否达到触发条件，包括：判断正在使用存储块的PE值等于预设PE值；响应于正在使用存储块的PE值等于第一预设PE值，则确认达到触发条件；响应于正在使用存储块的PE值超过第一预设PE值，且正在使用存储块的PE值为第二预设PE值的整数倍、或正在使用存储块的RT值为预设RT值的整数倍、或正在使用存储块的RD值为预设RD值的整数倍，则确认达到触发条件。4.根据权利要求3所述的用于Nand闪存的偏移电压确定方法，其特征在于，所述第一预设PE值和所述第二预设PE值相同。5.根据权利要求4所述的用于Nand闪存的偏移电压确定方法，其特征在于，所述第一预设PE值和所述第二预设PE值均根据公式一计算得到：其中，PE
trigger
(n)表示第一预设PE值或第二预设PE值，PE
start
表示满足触发条件的PE最...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志彬，苏军，郑善龙，
申请(专利权)人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：