包括非易失性存储器的集成电路制造技术

本申请涉及包括非易失性存储器的集成电路。集成电路包括：非易失性存储器，具有多个存储器单元，其中每个存储器单元被配置为存储信息以及提供读取电流，读取电流的强度取决于当存储器单元被选择进行读取时存储在其中的值；以及感测放大器，包括：第一放大器，被配置为放大选择进行读取的每个存储器单元的读取电流；振荡发生器，被配置为根据取决于放大信号的电流的强度的频率基于放大信号来生成具有振荡的信号；计数器，被配置为在至少一个给定时间段内对由振荡发生器生成的信号的振荡进行计数；以及数字处理电路，被配置为在计数器计数的值和放大信号表示的值之间使用查找表，基于在至少一个给定时间段期间计数的值确定放大信号表示的值。信号表示的值。信号表示的值。

【技术实现步骤摘要】
包括非易失性存储器的集成电路
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年9月29日提交的法国申请No.2110247的优先权，该申请通过引用并入本文。


[0003]各实施方式和实施例涉及集成电路，并且更具体地涉及包括非易失性存储器的集成电路。

技术介绍

[0004]非易失性存储器用于存储信息。具体地，常规的非易失性存储器包括多个存储器单元。存储器单元构成存储器的基础块。具体地，存储器单元是一种电子电路，该电子电路被配置为通常存储被称为比特(bit)的一条二进制信息，即，可以在两个级(level)上编码的一条信息，使得该条信息可以具有值“0”或“1”。存储器的存储器单元按列并且按行进行布置。
[0005]更具体地，存储器单元可以包括具有浮栅的存储晶体管，该浮栅被配置为存储与一条二进制信息相对应的电荷。

技术实现思路

[0006]为了读取存储器单元中所记录的一条信息，存储器单元的每个列设置有感测放大器。该放大器用于检测和放大低功率信号，该低功率信号表示在该列存储器单元中存储的比特。这些本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路，包括：非易失性存储器，包括：多个存储器单元，其中每个存储器单元被配置为存储信息，并且其中每个存储器单元被配置为提供读取电流，所述读取电流的强度取决于当所述存储器单元被选择进行读取时在所述存储器单元中存储的值；以及感测放大器，包括：第一放大器，被配置为放大被选择进行读取的每个存储器单元的所述读取电流；振荡发生器，被配置为基于所述放大信号来生成具有根据频率的振荡的信号，所述频率取决于所述放大信号的电流的强度；计数器，被配置为在至少一个给定时间段内，对由所述振荡发生器生成的所述信号的所述振荡进行计数；以及数字处理电路，被配置为使用能够由所述计数器计数的值与能够由所述放大信号表示的值之间的查找表，基于在所述至少一个给定时间段期间计数的值，来确定由所述放大信号表示的值。2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述感测放大器被配置为通过读取这些所选择的存储器单元，并且通过在将所加和的电流递送给所述第一放大器之前，对由这些所选择的存储器单元提供的所述读取电流进行加和，提供在数个存储器单元中存储的信息的值。3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述感测放大器被配置为通过选择以读取存储器单元，向在所述存储器单元中存储的信息的值施加权重。4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述感测放大器还包括温度传感器，所述温度传感器被配置为测量所述存储器的温度，所述温度传感器被配置为调整所述存储器单元的控制，以基于由所述温度传感器测量的所述温度来调整由所述存储器单元生成的所述读取电流。5.根据权利要求4所述的集成电路，其中所述数字处理电路包括所述温度传感器。6.根据权利要求4所述的集成电路，其中所述数字处理电路被配置为调整到所述存储器单元的浮栅的电压信号，并且其中当所述传感器检测到温度变化时，所述电压信号被基于参考值进行调整。7.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述感测放大器还包括校准器，所述校准器被配置为：定义当没有存储器单元被选择时在所述感测放大器的输入处的基本电流，以定义能够由所述计数器计数的期望最小值；以及调整所述放大器的增益，以获得能够由所述计数器计数的期望最大值。8.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述计数器是八位的。9.一种集成电路，包括：非易失性存储器，包括：多个存储器单元，其中每个存储器单元被配置为存储信息，并且
其中每个存储器单元被配置为提供读取电流，所述读取电流的强度取决于当所述存储器单元被选择进行读取时在所述存储器单元中存储的值；以及感测放大器，包括：输入，被配置为接收所述读取电流；第一放大器，被配置为放大所述读取电流；振荡发生器，被配置为生成具有根据频率的规则连续振荡的振荡发生器信号，所述频率取决于所述放...

【专利技术属性】
技术研发人员：X，
申请(专利权)人：意法半导体格勒诺布尔二公司，
类型：发明
国别省市：