单层级单元存储器编程缩短制造技术

技术编号:37504337 阅读:32 留言:0更新日期:2023-05-07 09:40
本申请涉及缩短的单层级单元存储器编程。存储器装置包含被配置为单层级单元存储器的存储器单元阵列和以操作方式耦合到所述存储器单元阵列的控制逻辑。所述控制逻辑执行包含以下各项的操作:致使所述存储器单元阵列内的待编程子块集的硬件初始化;致使预调节所述子块集中的第一子块以用于编程操作;致使多个数据页编程到所述子块集中的相应子块集;和在编程所述多个数据页之后,选择性地致使对所述子块集的存储器单元执行编程校验。块集的存储器单元执行编程校验。块集的存储器单元执行编程校验。

【技术实现步骤摘要】
单层级单元存储器编程缩短


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统,且更具体来说,涉及单层级单元存储器编程缩短。

技术介绍

[0002]存储器子系统可以包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说,主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]在一方面,本申请涉及一种存储器装置,其包括:存储器单元阵列,其被配置为单层级单元存储器;和控制逻辑,其以操作方式耦合到所述存储器单元阵列,所述控制逻辑执行包括以下各项的操作:致使所述存储器单元阵列内的多个待编程子块的硬件初始化;致使预调节所述多个子块中的第一子块以用于编程操作;致使多个数据页编程到所述多个子块中的相应子块;和在编程所述多个数据页之后,选择性地致使对所述多个子块的存储器单元执行编程校验。
[0004]在另一方面,本申请涉及一种方法,其包括:通过存储器装置的控制逻辑致使被配置为单层级单元存储器的存储器单元阵列内的多个待编程子块的硬件初始化;通过所述控制逻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置,其包括:存储器单元阵列,其被配置为单层级单元存储器;和控制逻辑,其以操作方式耦合到所述存储器单元阵列,所述控制逻辑执行包括以下各项的操作:致使所述存储器单元阵列内的多个待编程子块的硬件初始化;致使预调节所述多个子块中的第一子块以用于编程操作;致使多个数据页编程到所述多个子块中的相应子块;和在编程所述多个数据页之后,选择性地致使对所述多个子块的存储器单元执行编程校验。2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中选择性地致使执行所述编程校验包括在所述多个子块中的每一个处于经编程状态中之后,对所有所述多个子块一起执行单个编程校验。3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述操作另外包括在执行所述硬件初始化之前,致使所述多个数据页加载到页缓冲器中。4.根据权利要求1所述的存储器装置,其中致使编程所述多个数据页包括:(i)致使将所述多个数据页中的第一页编程到所述第一子块的编程脉冲发送到所述第一子块;(ii)致使在所述第一子块处执行恢复操作;和(iii)致使在所述多个子块中的第二子块处执行预调节所述第二子块以用于编程的经缩减接种操作。5.根据权利要求4所述的存储器装置,其中所述经缩减接种操作花费的时间段比用于预调节所述第一子块的时间段短。6.根据权利要求4所述的存储器装置,其中致使编程所述多个数据页另外包括:(iv)致使将所述多个数据页中的第二页编程到所述第二子块的编程脉冲发送到所述第二子块;(v)致使在所述第二子块处执行恢复操作;和重复(iii)到(v)以将所述多个数据页中的剩余部分编程到所述多个子块。7.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述操作另外包括:致使在所述多个子块处执行检查验证操作以确定所述编程校验的结果并确定所述数据页已经完全编程;响应于通过所述检查验证操作而退出所述多个子块的编程操作;和响应于未通过所述检查验证操作而致使执行所述多个子块的扫描。8.一种方法,其包括:通过存储器装置的控制逻辑致使被配置为单层级单元存储器的存储器单元阵列内的多个待编程子块的硬件初始化;通过所述控制逻辑致使预调节所述多个子块中的第一子块以用于编程操作;通过所述控制逻辑致使多个数据页编程到所述多个子块中的相应子块;和通过所述控制逻辑在编程所述多个数据页之后,选择性地致使对所述多个子块的存储器单元执行编程校验。
9.根据权利要求8所述的方法,其中选择性地致使执行所述编程校验包括在所述多个子块中的每一个处于经编程状态中之后,对所有所述多个子块一起执行单个编程校验。10.根据权利要求8所述的方法,其另外包括在执行所述硬件初始化之前,致使所述多个数据页加载到页缓冲器中。11.根据权利要求8所述的方法,其中致使编程所述多个数据页包括:(i)致使将所述多个数据页中的第一页编程到所述第一子块的编程脉冲发送到所述第一子...

【专利技术属性】
技术研发人员:L
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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