静电释放测试的控制方法、射频前端芯片及相关设备技术

本申请提供一种静电释放测试的控制方法，该方法用于射频前端芯片，所述射频前端芯片与天线连接，该方法包括：确定所述射频前端芯片中与所述天线接触的至少一个引脚；对于所述至少一个引脚中的每个引脚，控制执行预设次数的静电测试，以得到每个引脚的接触静电电压等级。上述方案，通过对射频前端芯片中所有与天线接触的引脚进行静电测试，确定每个引脚的接触静电电压等级，根据静电等级的结果对每个引脚进行相应的静电防护措施，避免了对所有引脚做静电防护措施，节约材料，简化静电防护的过程。程。程。

【技术实现步骤摘要】
静电释放测试的控制方法、射频前端芯片及相关设备


[0001]本申请的所公开实施例涉及芯片测试
，且更具体而言，涉及静电释放测试的控制方法、射频前端芯片及相关设备。

技术介绍

[0002]5G终端的射频架构，一般含有主基带芯片，RF收发器，射频前端芯片或模组(RF FEM，RF Front
‑
End Modules)。在终端设备内，射频前端芯片大部分被安置在PCB版上，并有包地等措施的保护，因此大部分的引脚被低于10kv静电击穿的概率不大。
[0003]然而，鉴于5G的空间极限，射频前端芯片内元器件众多，价值较高，一旦某个元器件损坏，则需要更换整个模组，维修成本高。
[0004]例如，射频前端芯片与天线连接的引脚，其包裹度相对较差，往往留有一定的空隙，其静电的保护度相对较弱。
[0005]因此，为了降低射频前端芯片损坏的可能性，需要进行相关的防护措施。

技术实现思路

[0006]针对上述问题，本申请提供静电释放测试的控制方法、射频前端芯片及相关设备。
[0007]为了实现上述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电释放测试的控制方法，其特征在于，用于射频前端芯片，所述射频前端芯片与天线连接，包括：确定所述射频前端芯片中与所述天线接触的至少一个引脚；对于所述至少一个引脚中的每个引脚，控制执行预设次数的静电测试，以得到每个引脚的接触静电电压等级。2.根据权利要求1所述的静电释放测试的控制方法，其特征在于，对所述至少一个引脚中每个引脚：一次静电测试包括控制对所述每个引脚施加接触静电电压以及控制测量在施加接触静电电压时所述每个引脚的对地阻抗并保存；所述预设次数的静电测试中任意相邻两次静电测试采用的接触静电电压间隔预设电压值，且前一次静电测试采用的接触静电电压小于后一次静电测试采用的接触静电电压；所述预设次数的静电测试中最后一次静电测试中，所述每个引脚的对地阻抗满足预设条件，则所述最后一次静电测试采用的接触静电电压作为所述每个引脚的接触静电电压等级。3.根据权利要求2所述的静电释放测试的控制方法，其特征在于，所述预设条件包括所述每个引脚未施加接触静电电压时所述每个引脚的对地阻抗的预设比例范围。4.根据权利要求2所述的静电释放测试的控制方法，其特征在于，若所述每个引脚的接触静电电压等级小于预设值，标记所述每个引脚，以使得所述每个引脚被添加静电防...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶宏伟，林震东，孟宪东，张尚斌，赵启明，
申请(专利权)人：深圳市天珑移动技术有限公司，
类型：发明
国别省市：