【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种垂直发光二极管的制作方法，特别是涉及一种基于多单元合成式反射镜的功率型发光二极管的制作方法。
技术介绍
目前大多数的GaN基外延主要是生长在蓝宝石衬底上，由于蓝宝石导电性能差， 普通的GaN基发光器件采用横向结构，即两个电极在器件的同一侧，电流在N-GaN层中横 向流动不等的距离，存在电流堵塞，产生热量；另外，蓝宝石衬底的导热性能低，因此限制了 GaN基器件的发光功率及效率。将蓝宝石衬底去除将发光器件做成垂直结构可以有效解决 散热、出光以及抗静电等问题。 对于垂直发光二极管，一方面，有源层向下发射的光经p型外延接触金属反射后 向上从n型外延表面出光，因此为了得到高效垂直发光二极管，需要在p型GaN基外延底部 制作高反射率欧姆接触金属层，以减少有源层向下发射的光被金属层吸收，保证器件的工 作电压和效率；对于可见光波段，在所有金属材料中银(Ag)反射率最高，且能够与p型GaN 基外延层形成良好的欧姆接触，因此被公认是垂直发光二极管P欧姆接触反射层的首选， 但Ag与半导体表面的粘附性不佳。另一方面，在蓝宝石衬底去除前通常将GaN基外延通 过加温加压...
【技术保护点】
一种基于多单元合成式反射镜的功率型发光二极管的制作方法，其步骤如下，步骤一：在蓝宝石衬底上外延生长ＧａＮ基蓝光ＬＥＤ发光材料，发光材料依次包括ｎ型ＧａＮ基半导体层、活性层和ｐ型ＧａＮ基半导体层；步骤二：在ｐ型ＧａＮ基半导体层上沉积反射金属膜，采用化学蚀刻去除各周期器件周围区域及周期器件中央部分区域的反射金属膜，即将反射镜金属膜进行微隔离形成多单元合成式反射镜金属膜，隔离的各单元反射镜之间暴露出ｐ型ＧａＮ基外延表面；步骤三：在氮气氛围下对反射金属膜进行高温热退火处理形成欧姆接触；步骤四：在暴露出的ｐ型ＧａＮ基外延表面沉积与Ａｇ厚度相当的高阻填充材料；步骤五：在反射金属膜及高阻...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林雪娇，陈文欣，吴瑞玲，洪灵愿，潘群峰，吴志强，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：92[中国|厦门]
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