一种基于忆阻器的射频开关制造技术

本发明专利技术提供一种基于忆阻器的射频开关，包括射频信号传输层，忆阻器，钝化层。本发明专利技术具有高速、高频、低损和易集成等优势，忆阻器阻变材料在晶体状态下的低电阻率保证了连接射频终端时的低电阻,是实现开关低插入损耗，忆阻器阻变材料在非晶态的高电阻率保证了射频信号传输端口之间的高隔离。与二极管开关和场效应管开关相比,基于忆阻器开关在微波、毫米波的高频段甚至太赫兹频段仍然具有切换速度快、寿命长、体积小、结构简单等优点。本发明专利技术提供一种基于忆阻器的射频开关，主要用于5GHz以上频段，具有低插入损耗、高隔离度、切换速度快，易于大规模集成等特点。于大规模集成等特点。于大规模集成等特点。

【技术实现步骤摘要】
一种基于忆阻器的射频开关


[0001]本专利技术涉及射频开关，更具体地，涉及一种基于忆阻器的射频开关。

技术介绍

[0002]射频开关广泛应用于集成电路和无线系统中器件、阵元、电路间的切换, 如通信系统的发射Tx/接收Rx转换、频带选择、电路特性重构、波束特性重构、信号中继、波束合成方法切换以及其他无线网络重新配置过程. 随着射频系统阵列化、毫米波太赫兹高频化发展趋势, 射频开关的重要性日益增长, 而互补金属氧化物半导体( CMOS)、PIN二极管、微机电系统(MEMS)等在带宽、插损、工作频率、开关速度等方面面临瓶颈。
[0003]忆阻器具有非常简单的金属
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阻变层
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金属（MIM）三明治结构，其阻值在电流由流经的电流或者施加的电压来确定。莫特忆阻器是采用莫特绝缘体材料作为阻变层的忆阻器，是易失性存储器即当外加电流或者电压撤去后，其阻值很快回到初始状态。根据能带理论，莫特（Mott）绝缘体（如VO2、NbO2、NiO等）在常温、常压下是很好的绝缘体。但是在高温或者高压下，可以由绝缘体状态转换成导体状本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于忆阻器的射频开关，其特征在于，包括，射频信号传输层，忆阻器，钝化层，衬底；所述射频信号传输层为共面波导传输线结构，射频传输线位于中间，两边地线并行排列，射频传输线中间断开，接口处一边呈现T字形，一边呈现一字型；所述忆阻器由顶电极、阻变层、底电极组成；所述衬底层上开有散热孔。2.根据权利要求1所述一种基于忆阻器的射频开关，其特征在于，所述射频信号传输线采用金属微带线。3.根据权利要求1所述一种基于忆阻器的射频开关，其特征在于，所述电极与阻变层之间连接方式可为直接交叉式、通孔式、侧壁式、柱状电极式。4.根据权利要求1所述一种基于忆阻器的射频开关，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，
申请(专利权)人：陕西格芯国微半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：