一种基于忆阻器的高速模数转换电路制造技术

本发明专利技术提供一种基于忆阻器的高速模数转换电路，包括，分压电路、忆阻器阵列、读出及复位电路、译码器，分压电路包含2

【技术实现步骤摘要】
一种基于忆阻器的高速模数转换电路


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路领域，更具体地，涉及一种基于忆阻器的高速模数转换电路。

技术介绍

[0002]忆阻器是一种新型的固态存储器件，也称为RRAM。它可以在存储电荷的基础上，通过调整其电阻值来实现数据的存储和读取。与传统的存储器件相比，阈值电压型忆阻器具有更高的速度和更低的功耗。
[0003]忆阻器的核心部件是一种忆阻器材料，它具有可调的电阻值。在该材料中，电荷可以在晶格缺陷或氧化物中形成导电通道，从而改变其电阻值。当施加一个阈值电压时，通道变得导电，阻值降低；当施加反向电压时，通道被阻断，阻值增加。这种忆阻器材料可以被用作存储器单元，其中每个单元表示一个比特。
[0004]忆阻器具有以下特点：快速读写速度：阈值电压型忆阻器的读写速度非常快，可达到纳秒级别，比传统的存储器件快得多。高密度存储：阈值电压型忆阻器的存储密度非常高，可以实现更大的存储容量。低功耗：阈值电压型忆阻器的功耗较低，因为它只需要在读写时耗费一小部分电能。长寿命：阈值电压型忆阻器通常使用固态材料，因此具有较长的使用寿命。
[0005]可编程性：阈值电压型忆阻器可以通过编程方式改变其电阻值，从而实现不同的存储状态。
[0006]传统的模数转换器包括采样、量化和编码三个功能；然而基于传统电子器件的模数转换器往往会面临分辨率、转换时间、功率三者不能兼顾等问题，需要大量的比较器和参考电压，因此成本较高。此外，由于只有少数几个输出码可用，因此它的分辨率相对较低。与传统的电子器件相比，忆阻器，有望解决这些问题。

技术实现思路

[0007]忆阻器两端的电压超过它的阈值时，器件的电阻值会迅速变化，从高阻态跳变到低阻态或从低阻态跳变到高阻态，开关比能达到10000以上，开关时间能到纳秒以下，阈值电压最低能到毫伏级别，并具备一定的保持性和鲁棒性。
[0008]本专利技术提供一种基于忆阻器的高速并行数模转换电路，能够在一个时钟周期内完成一次模拟信号的转换。应用于高速采样电路。它将模拟输入信号与一组参考电压进行比较，比较结果再与阈值电压型忆阻器的阈值电压相比，若差值大于忆阻器阈值电压，此时忆阻器表现为低阻态，通过读出电路，此时状态为1,此时若差值小于忆阻器的阈值电压。此时忆阻器表现为高阻态，此时状态为0，再通过译码器输出数字信号，完成模数转换的过程。
[0009]本专利技术提供一种基于忆阻器的高速模数转换电路，包括，分压电路、忆阻器阵列、读出及复位电路、译码器；所述分压电路包含2
n
个均值电阻网络，将参考电压Vref拆分得到 2
n
ꢀ‑ꢀ
1个等步距
的中间电压；所述分压电路网络可以集成在芯片内部，也可以采用外接分压方式；所述读出及复位电路对忆阻器进行读写，实现忆阻器在高低状态间的转换。
[0010]进一步地，所述忆阻器阵列由2
n ‑ꢀ
2行，M列个忆阻器组成。
[0011]进一步地，所述忆阻器结构自上而下为顶电极、阻变层、底电极。
[0012]进一步地，所述忆阻器为电压阈值阻变忆阻器，所述忆阻器阈值电压 vth <=Vref/2
n
。
[0013]进一步地，所述读出电路读出时，忆阻器的底电极按照行排列分布链接在一条行地址线上，每一行行成一条行地址选择线，共2
n ‑ꢀ
2行，忆阻器顶电极按照列位分布，每一列上的忆阻器顶电极链接在一根列位选择线上，共M列。
[0014]进一步地，所述译码器为多进制译码。
[0015]本专利技术具有以下增益：本专利技术提供一种基于忆阻器的高速模数转换电路，相对于传统电路，具有高速度、低功耗、易集成、占用芯片面积小的优点。
附图说明
[0016]图1所示为本专利技术实施例电路结构示意图图2所示为本专利技术实施例忆阻器阵列结构图图3所示为本专利技术实施例忆阻器阻态读出电路示意图图4所示为本专利技术实施例忆阻器复位电路示意图。
[0017]图5为本专利技术实施例忆阻器I
‑
V曲线图。
实施方式
[0018]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0019]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0020]本专利技术提出了一种基于忆阻器的高速并行模数转换电路，该电路包括分压电路、忆阻器阵列、读出及复位电路、译码器。
[0021]本专利技术实施例电路结构如图1所示，其中所述分压电路 包含 2
n
个均值电阻网络，将 VREF拆分得到 2
n
‑ꢀ
1个等步距的中间电压，分别为， 分压电路网络可以集成在芯
片内部，也可以采用外接分压方式。
[0022]本专利技术实施例中，N取3，8个均值电阻构成的电阻网络将 VREF拆分得到 7 个等步距的中间电压。
[0023] 所述忆阻器阵列由2
n
‑ꢀ
2行，M列个忆阻器单元组成，如图2所示，其中每个忆阻器具有单极特性，当忆阻器两端的电压大于忆阻器从低阻态跳变到高阻态的阈值电压VTH时，忆阻器的阻值将快速的从低阻态RL跳变到高阻态RH。忆阻器初始阻态为低阻态RL。反之，当忆阻器两端的电压小于于忆阻器从低阻态跳变到高阻态的阈值电压VTH时，阻值将快速的从高阻态RH跳变到低阻态RL。
[0024]读出及复位电路使用读电路对忆阻器两端施加小于忆阻器阈值电压的电压Vread，通过读取忆阻器的电流，可将忆阻器阻值状态读出。在对忆阻器进行写操作时，通过在忆阻器两个极板上施加不同极性的电压，可实现忆阻器在不同状态间的转换。其中，阻变层由低阻态向高阻态变化称为复位操作或擦除操作(RESET)，由高阻态向低阻态变化称为置位操作或编程操作(SET)。通常，刚制备的RRAM 器件缺陷很少,其初始状态呈现高阻态，在对忆阻器进行读操作时，当忆阻器上下极板压差为正值时，根据读出的电流大小，可以判断出此时存储单元存储值为高阻态或者低阻态。
[0025]本案列中所述读出电路，如图3所示，当在SL和BL上添加差值大于MOS 管阈值的电压，如B本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于忆阻器的高速模数转换电路，其特征在于，包括，分压电路、忆阻器阵列、读出及复位电路、译码器；所述分压电路包含2
n
个均值电阻网络，将参考电压Vref拆分得到 2
n
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1个等步距的中间电压；所述分压电路网络可以集成在芯片内部，也可以采用外接分压方式；所述读出及复位电路对忆阻器进行读写，实现忆阻器在高低状态间的转换。2.根据权利要求1所述一种基于忆阻器的高速模数转换电路，其特征在于，所述忆阻器阵列由2
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2行，M列个忆阻器组成。3.根据权利要求1所述一种基于忆阻器的高速模数转换电路，其特征在于，所述忆阻器结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，
申请(专利权)人：陕西格芯国微半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：