三相逆变电路中利用MOS内阻实现三电阻采样的采样电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种三相逆变电路中利用MOS内阻实现三电阻采样的采样电路，包括三相逆变器驱动芯片、第五二极管、第十二电阻、第五二极管、第十一电阻、第十三电阻、第五电容、第四MOS管、第四电阻、运算放大器、第一二极管、第三电阻、第一电阻、第二电阻、第四二极管、第十电阻、第二二极管、第五电阻、第八电阻、第九电阻、第三电容、第三MOS管、第九电阻、12V电源正极、第三二极管、第二电容。与现有技术相比，本实用新型专利技术利用MOS内阻代替三电阻采样电阻中的采样电阻以实现相电流采样，最后利用运算放大器就可以实现相电流采样，整个电流采样电路结构简单，采样方便快捷。采样方便快捷。采样方便快捷。

【技术实现步骤摘要】
三相逆变电路中利用MOS内阻实现三电阻采样的采样电路


[0001]本技术涉及，特别是一种三相逆变电路中利用MOS内阻实现三电阻采样的采样电路。

技术介绍

[0002]在FOC算法中，电流采样在反馈环节是相当重要的一部分，无论是有感FOC，还是无感FOC，相电流是交流三相同步电机在进行坐标变换的关键，最终通过SVPWM实现电机转子磁场和定子磁场的同步转动，通常这里有三种方案，单电阻采样，双电阻采样，三电阻采样，关系到整体系统的成本，算法的复杂程度和最终运行的效果，这里需要根据项目的具体需求进行选择。
[0003]单电阻采样：需要一路采样电阻和一路运放，硬件简单；但是算法复杂度增加、处理困难、目前难点。
[0004]双电阻采样：需要二路采样电阻和二路运放，硬件适中；但是算法需要做补偿运算，难度适中。
[0005]三电阻采样：需要三路采样电阻和三路运放，硬件成本高，但是PCBlayout复杂；但是算法简单，采样方便。

技术实现思路

[0006]本技术的目的是要解决现有技术存在的不足，提供一种三相逆变电路中利用M本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三相逆变电路中利用MOS内阻实现三电阻采样的采样电路，包括三相逆变器驱动芯片，三相逆变器驱动芯片连接有电源，其特征在于：所述三相逆变器驱动芯片的低端输出引脚分别连接到第五二极管的负极和第十二电阻的第一端，第十二电阻的第二端分别连接到第五二极管的正极、第十一电阻的第一端、第十三电阻的第一端和第五电容的第一端，第十一电阻的第二端连接到第四MOS管的栅极，第十三电阻的第二端和第五电容的第二端均连接到第四MOS管的源极，第四MOS管的源极还连接第四电阻的第一端，第四电阻的第二端分别连接到运算放大器反相输入端、第一二极管的负极和第三电阻的第一端，第三电阻的第二端连接运算放大器的输出端；运算放大器的同相输入端分别连接到第一电阻的第一端、第一二极管的正极、第二电阻的第一端，第二电阻的第二端连接第四MOS管的漏极，第一电阻的第二端连接5V电源正极；三相逆变器驱动芯片的高端浮置电源偏移电压引脚分别连...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶开亮，
申请(专利权)人：深圳市钜盛开发有限公司，
类型：新型
国别省市：