一种改善可变增益放大器dB线性的调节方法技术

本发明专利技术公开了一种改善可变增益放大器dB线性的调节方法，涉及放大器调节方法，针对现有技术中db线性增益误差较大的问题提出本方案。包括以下步骤：S1.将负载级、跨导级和偏置电路依次设置在VDD和地之间；S2.初始化配置MOS管M2和MOS管M1的尺寸比值、MOS管M1的最小控制电压；S3.调节偏置电压令MOS管M4和MOS管M5工作于饱和区，从而确定MOS管M5的初始尺寸；S4.扫描控制电压观察增益调节曲线并调整所述MOS管M5的尺寸实现当前偏置情况下的最优补偿；S5.迭代调整MOS管M2和MOS管M1的尺寸比值、MOS管M5的尺寸及偏置电压，使最大补偿范围达到预设范围。优点在于，实现高精度连续db线性增益调节，不需要指数生成器和复杂的电路结构，也不消耗额外功耗。也不消耗额外功耗。也不消耗额外功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种改善可变增益放大器dB线性的调节方法


[0001]本专利技术涉及一种改善可变增益放大器dB线性的调节方法。

技术介绍

[0002]自动增益控制环路常用于接收机，由于接收机接收到的信号受距离和环境的影响，强度会发生显著变化，因此为了使系统的动态范围最大化，接收机需要具有处理较大的信号幅度变化的能力，通常需要自动增益控制环路起到自动调节的作用，使模数转换器的输入信号是一个恒定的水平，而可变增益放大器是其核心模块，其可调范围直接决定了控制环路可锁定的输入幅度范围。不仅如此，对于高精度反馈式自动控制环路，可变增益放大器需要具有db线性特性才能使其建立时间不随输入信号变化，从而使环路获得最大带宽，且精确的db线性控制特性有利于精确的信号强度指示。
[0003]对于CMOS工艺，可变增益放大器实现db线性增益调节的方法及存在的问题如下：1、借助CMOS工艺下寄生的双极性晶体管(BJT管)或工作在亚阈值区的MOS管进行改善。然而采用寄生BJT管的方案功耗高、可靠性差；而采用亚阈值区MOS管，其栅极控制电压的变化范围有限，限制了增益调节范围。2、将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善可变增益放大器dB线性的调节方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.将负载级、跨导级和偏置电路依次设置在VDD和地之间；所述负载级采用有源电感特性的MOS管M2作为负载；所述跨导级包括工作于三极管区的MOS管M1以及工作于饱和区的MOS管M3；所述偏置电路通过MOS管M4对所述MOS管M3提供偏置电流，以及通过MOS管M5调整补偿效果；S2.初始化配置MOS管M2和MOS管M1的尺寸比值、MOS管M1的最小控制电压；S3.调节偏置电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王浩，李俊，王彦杰，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：