异质结双极晶体管结构制造技术

一种异质结双极晶体管结构，包括：衬底；集电层，位于所述衬底上，所述集电层上表面侧具有多个凹槽；基极层，位于所述集电层上，所述基极层下表面侧具有分别对应多个所述凹槽的多个凸起部，多个所述凸起部分别嵌入多个所述凹槽；发射层，位于所述基极层上。上述方案可以提高异质结双极型晶体管结构中的载流子的扩散运动效率。运动效率。运动效率。

【技术实现步骤摘要】
异质结双极晶体管结构


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种异质结双极晶体管结构。

技术介绍

[0002]异质结双极型晶体管(Heterojunction Bipolar Transistors，HBT)是一种常用的功率放大器件，具有高频特性、高工作效率及线性度好的优点。异质结晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成，它的发射区和基区使用两种不同的半导体材料，这样发射结就形成异质结。HBT比一般双极型晶体管具有更好的高频信号和基区发射效率，其广泛应用于微波毫米波、高速数字电路、模/数转换器、光通信及移动通信等领域。在HBT结构中，多数载流子主要是发射层中的自由电子，它可以扩散到基极层形成电流I
B
，并继续扩散到集电层形成电流I
E
。
[0003]在现有的HBT结构设计中，由于集电层和基极层的接触面积有限，基极层载流子到集电层的扩散运动只能在竖直方向上进行，导致载流子扩散运动效率不高。

技术实现思路

[0004]本技术实施例解决的技术问题是如何提高异质结双极型晶体管结构中的载流子的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结双极晶体管结构，其特征在于，包括：衬底；集电层，位于所述衬底上，所述集电层上表面侧具有多个凹槽；基极层，位于所述集电层上，所述基极层下表面侧具有分别对应多个所述凹槽的多个凸起部，多个所述凸起部分别嵌入多个所述凹槽；发射层，位于所述基极层上。2.如权利要求1所述的异质结双极晶体管结构，其特征在于，多个所述凹槽在所述集电层上表面侧呈锯齿状排布。3.如权利要求1所述的异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述凹槽与嵌入所述凹槽的所述凸起部的形状和大小一致。4.如权利要求3所述的异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述凹槽的底部表面与嵌入所述凹槽的所述凸起部的顶部表面接触，且所述凹槽的侧壁表面与嵌入所述凹槽的所述凸起部的侧壁表面接触。5.如权利要求3所述的异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述凹槽的形状和嵌入所述凹槽的所述凸起部的形状呈正方体、长方体、圆柱体...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵亚楠，叶鹏辉，姜清华，黄玺，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：