用于提供硬偏压封盖层的方法和系统技术方案

公开一种提供磁阻器件的方法和系统。该磁阻器件由多个磁阻层形成。该方法和系统包括提供掩膜。该掩膜覆盖在至少一个器件区域中的磁阻元件层的第一部分。使用该掩膜限定这一个（或多个）磁阻元件。该方法和系统包括淀积一个（或多个）硬偏压层。该方法和系统还包括在这一个（或多个）硬偏压层上提供硬偏压封盖结构。该硬偏压封盖结构包括第一保护层和平坦化停止层。该第一保护层处于该平坦化停止层与这一个（或多个）硬偏压层之间。该方法和系统还包括执行平坦化。该平坦化停止层被配置用于该平坦化。

【技术实现步骤摘要】
用于提供硬偏压封盖层的方法和系统
技术介绍
001图1描述利用传统底切的双层掩膜提供磁阻元件的传统方法 10。通过步骤12提供磁阻元件的层。典型地，步骤12包括为旋转阀 或其它类似的大型磁阻(GMR)元件溅射淀积(或沉积)这些层。通 过步骤14也可以为该磁性元件提供封盖层(capping layer)。例如，可 以使用钽(Ta)或类钻石碳(DLC)。通过步骤16在该器件上提供双 层掩膜。该双层掩膜在掩膜的边缘处具有底切部。通过步骤18限定该 磁性元件。随后，将被该双层掩膜暴露的磁阻元件的层的一些部分去 除。然后通过步骤20可以淀积硬偏压层(hardbiaslayer)。通过步骤22 可以执行剥离(lift-off)。该剥离去除该双层掩膜。通过步骤24可以提 供诸如Ta的封盖层和引线。002尽管传统方法10在较低密度时起作用，但对于较高密度则出 现问题。双层掩膜的底层具有比上层小的宽度或临界尺寸。因此，如 上所述，该双层掩膜被底切。但是，在0.06-0.08pm左右或更小的较小 临界尺寸处，遇到显著的问题。特别地，该双层掩膜易于塌縮。另外， 磁迹宽度变得难以控制。因此，成品率降低。003因此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于提供至少一个磁阻器件的方法，所述磁阻器件由多个磁阻层形成，所述方法包括：　提供掩膜，所述掩膜覆盖至少一个器件区域中的所述多个磁阻元件层的第一部分；　利用所述掩膜限定至少一个磁阻元件；　淀积至少一个硬偏压层；　 在所述至少一个硬偏压层上提供硬偏压封盖结构，所述硬偏压封盖结构包括第一保护层和平坦化停止层，所述第一保护层位于所述平坦化停止层与所述至少一个硬偏压层之间；和　执行平坦化，所述平坦化停止层被配置用于所述平坦化。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：L洪，H朱，
申请(专利权)人：西部数据弗里蒙特公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]