【技术实现步骤摘要】
压印设备
[0001]本专利技术涉及纳米压印
,更具体地,涉及一种压印设备。
技术介绍
[0002]在半导体技术的发展过程中,器件的特征尺寸越来越小,光刻工艺也变得越发复杂,而这也导致了下一代光刻技术的成本不断增加。追求特征尺寸的缩小,就需要减小曝光波长。而纳米压印技术不受最短曝光波长限制,只与模板的精密度有关。纳米压印较传统光刻技术可在采用较低成本的条件下大批量制备具有超高精度的图形,同时也具有良好的均匀性和可重复性,此外可以传统光刻工艺有很大程度的兼容性。纳米压印除了在集成电路领域有着非常广阔的应用前景,同时在光学领域纳米压印可用来制备周期小于光学波长的亚波长光栅。
[0003]但是,现有技术的纳米压印设备,通常采用滚轮来辅助进行纳米压印,通过滚轮将模板上的微纳结构压印至软膜上,在压印完成后再进行固化,微纳结构与模板上的相比会产生偏差。同时,尤其是在针对例如倾斜光栅或是对称结构时,现有技术中的纳米压印设备的压印方式,会使产品的对称性变差,造成产品的精度下降。
技术实现思路
[0004]本专利 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种压印设备,其特征在于,包括:底座,所述底座上设置有载盘,所述载盘被配置为用于承载基板,所述底座上位于所述载盘的四周处设置有多个可升高或降低的离膜柱;软膜承载装置,所述软膜承载装置被配置为用于固定所述软膜,所述软膜承载装置的侧边分别连接于多个所述离膜柱上;流体膨胀装置,所述流体膨胀装置位于所述载盘的上方,所述流体膨胀装置内未通入流体时,所述流体膨胀装置处于收缩状态,所述流体膨胀装置内通入流体后,所述流体膨胀装置处于膨胀状态并向所述基板方向挤压所述软膜。2.根据权利要求1所述的压印设备,其特征在于,所述软膜承载装置包括框架和定位环,多个所述定位环设置于所述框架的外周侧,且多个所述定位环分别与不同所述离膜柱位置一一对应,所述框架内设置有所述软膜。3.根据权利要求2所述的压印设备,其特征在于,所述离膜柱包括底柱、定位销和形变机构,所述底柱设置于所述底座上,所述定位销的一端连接于所述底柱,所述定位销的另一端连接于所述形变机构,所述形变机构包括第一姿态和第二姿态;所述形变机构处于第一姿态时,所述形变机构的直径小于所述定位环的内径,所述定位环能够穿过所述形变机构并套设于所述定位销上;所述形变机构处于第二姿态时,所述形变机构的直径大于所述定位环的外径,所述形变机构被配置为对所述定位环限位。4.根据权利要求3所述的压印设备,其特征在于,所述底柱内设置有伸缩机构,所述定位销远...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩兴君,王威翔,吾晓,李莹,饶轶,
申请(专利权)人:歌尔股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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