光学器件和用于制造光学器件的方法技术

公开了光学器件和用于制造光学器件的方法。制造了具有呈图案化网格结构的更高分辨率的特征的光学器件。将光致抗蚀剂施加至光学器件的器件层。在不同的曝光步骤中使用若干相互偏移的光掩模来曝光具有特征的光致抗蚀剂。每次曝光中的特征可以具有不同的特征尺寸，例如器件层中待产生的柱或孔的不同直径。一旦曝光完成，就在器件层中产生特征的图案化网格结构。例如，将光致抗蚀剂显影，并使用反应离子蚀刻来在器件层中产生特征。刻来在器件层中产生特征。刻来在器件层中产生特征。

【技术实现步骤摘要】
光学器件和用于制造光学器件的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本专利申请要求2021年11月16日提交的美国临时申请第63/264,141号的权益和优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术介绍

[0003]光学器件上设计的分辨率，即设计的要素可以具有的最小尺寸，受到用于制造光学器件的制造技术的限制。例如，当使用光刻来向光学器件施加设计时，对于设计的各个要素可以实际实现的最小尺寸存在限制，这影响相应光学器件的设计。
[0004]本公开的主题旨在克服或者至少减少上述问题中的一者或更多者的影响。

技术实现思路

[0005]本公开涉及用于制造光学器件的方法。在本公开的一个方面中，所述方法包括将介电层设置在基底的顶部上。在本公开的另一个方面中，所述方法可以包括在介电层的顶部上施加光致抗蚀剂。在本公开的一个方面中，所述方法可以包括通过第一光掩模对光致抗蚀剂进行初次曝光。此外，在本公开的一个方面中，所述方法可以包括通过第二光掩模将光致抗蚀剂二次曝光于UV光，使得在光致抗蚀剂的初次曝光期间未曝光的区域中的光致抗蚀剂被曝光，其中第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造光学器件的方法，所述方法包括：将抗蚀剂层施加至所述光学器件的器件层；使用第一掩模在所述抗蚀剂层中产生一组第一特征，所述第一特征以周期排列成图案化网格并且具有一个或更多个第一特征尺寸；使用至少一个另外的掩模在所述抗蚀剂层中的所述图案化网格中产生至少一组另外的特征，所述至少一个另外的掩模在至少一个平面维度上相对所述第一特征偏移所述周期的一部分，所述另外的特征具有一个或更多个另外的特征尺寸；以及在所述器件层中产生所述第一特征和所述另外的特征的所述图案化网格。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案化网格包括矩形网格；其中所述至少一个平面维度包括第一正交维度和第二正交维度；其中所述周期的一部分包括所述周期的一半；以及其中使用在所述至少一个平面维度上相对所述第一特征偏移所述周期的一部分的所述至少一个另外的掩模在所述抗蚀剂层中的所述图案化网格中产生所述至少一组另外的特征包括：使用所述至少一个另外的掩模中的三个掩模产生用于所述抗蚀剂层中的所述矩形网格的三组所述另外的特征，三个另外的掩模中的一者在所述第一正交维度上相对所述第一特征偏移所述周期的一半，所述三个另外的掩模中的另一者在所述第二正交维度上相对所述第一特征偏移所述周期的一半，所述三个另外的掩模中的又一者在所述第一正交维度和所述第二正交维度二者上相对所述第一特征偏移所述周期的一半。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案化网格包括三角形网格；以及其中使用在所述至少一个平面维度上相对所述第一特征偏移所述周期的一部分的所述至少一个另外的掩模在所述抗蚀剂层中的所述图案化网格中产生所述至少一组另外的特征包括：使用所述至少一个另外的掩模中的三个掩模产生用于所述抗蚀剂层中的所述三角形网格的三组所述另外的特征，三个另外的掩模各自在三个平面维度中的一者上相对所述第一特征偏移所述周期的一部分。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案化网格包括六边形网格；以及其中使用在所述至少一个平面维度上相对所述第一特征偏移所述周期的一部分的所述至少一个另外的掩模在所述抗蚀剂层中的所述图案化网格中产生所述至少一组另外的特征包括：使用所述至少一个另外的掩模中的五个掩模产生用于所述抗蚀剂层中的所述矩形网格的五组所述另外的特征，五个另外的掩模各自偏移。5.一种制造光学器件的方法，所述方法包括：将抗蚀剂层施加至所述光学器件的器件层；使用第一掩模在所述抗蚀剂层中产生一组第一特征的图案化网格，所述第一特征以周期排列成所述图案化网格并且具有一个或更多个第一特征尺寸；使用第二掩模产生用于所述抗蚀剂层中的所述图案化网格的一组第二特征，所述第二掩模在第一平面维度上相对所述第一特征偏移所述周期的一半，所述第二特征具有一个或更多个第二特征尺寸；在所述器件层中产生所述第一特征和所述第二特征的所述图案化网格。6.根据权利要求5所述的方法，还包括，使用第三掩模产生用于所述抗蚀剂层中的所述图案化网格的一组第三特征，所述第三掩模在第二平面维度上相对所述第一特征偏移所述
周期的一半，所述第三特征具有一个或更多个第三特征尺寸，其中在所述器件层中产生所述第一特征和所述第二特征的所述图案化网格还包括在所述器件层中产生所述第三特征的所述图案化网格。7.根据权利要求6所述的方法，还包括，使用第四掩模产生用于所述抗蚀剂层中的所述图案化网格的一组第四特征，所述第四掩模在所述第一平面维度和所述第二平面维度上相对所述第一特征偏移所述周期的一半，所述第四特征具有一个或更多个第四特征尺寸，其中在所述器件层中产生所述第一特...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯托夫，
申请(专利权)人：IIVI特拉华有限公司，
类型：发明
国别省市：