一种纳米压印的图形修饰方法技术

本发明专利技术公开了一种纳米压印的图形修饰方法，涉及蓝宝石图形化衬底技术领域；为了提升处理效果；包括如下步骤：第一步刻蚀，扫描蚀刻，使用氧气，铲除掉纳米压印技术残留得底膜，减小纳米压印图形顶宽；第二步刻蚀，主蚀刻，提升选择比，累计足够得高度和宽度；第三步刻蚀，过度蚀刻，修饰图形形貌，改善图形侧壁弧度，剔除褶皱；所述底膜残留情况和纳米压印图形顶宽通过SEM量测确认，第一步刻蚀结束时纳米压印图形顶宽比底宽小0.2

【技术实现步骤摘要】
一种纳米压印的图形修饰方法


[0001]本专利技术涉及纳米压印图形修饰
，尤其涉及一种纳米压印的图形修饰方法。

技术介绍

[0002]纳米压印技术是一种不同于传统光刻技术的全新图像转移技术，它不使用光线曝光或辐射来使光刻胶成形，而是先利用电子束或离子束蚀刻出高精度的掩模板，然后通过模板将图形转移到相应的基底上(转移的媒介通常是一层很薄的聚合物膜)，最后通过加热或UV辐照的方法使聚合物膜硬化从而保留下转移的图像。
[0003]在PSS(蓝宝石图形化衬底)细分领域，纳米压印产品由于本身特性，压印后图形底部有底膜，会导致刻蚀后产品图形形貌较差，容易出现两个图形间隙底部不平整，侧壁弧度偏大或褶皱等形貌异常。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种纳米压印的图形修饰方法。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
[0006]一种纳米压印的图形修饰方法，包括如下步骤：
[0007]S1：第一步刻蚀，扫描蚀刻，使用氧气，铲除掉纳米压印技术残留得底膜，减小纳米压印图形顶宽；
[0008]S2：第二步刻蚀，主蚀刻，提升选择比，累计足够得高度和宽度；
[0009]S3：第三步刻蚀，过度蚀刻，修饰图形形貌，改善图形侧壁弧度，剔除褶皱。
[0010]优选的：所述底膜残留情况和纳米压印图形顶宽通过SEM量测确认，第一步刻蚀结束时纳米压印图形顶宽比底宽小0.2
‑
0.5um。/>[0011]进一步的：所述S1步骤中，第一步刻蚀处理的电极参数控制为：上电极功率0.8
‑
1.6KW，下电极功率50
‑
300W。
[0012]进一步优选的：所述S1步骤中，第一步刻蚀处理的氧气流量控制在50
‑
300sccm，时间控制在30
‑
300s，腔室压力控制在1
‑
50mt。
[0013]作为本专利技术一种优选的：所述S2步骤中，第二步刻蚀处理的电极参数控制为：上电极功率0.8
‑
1.6KW，下电极功率300
‑
800W。
[0014]作为本专利技术进一步优选的：所述S2步骤中，第二步刻蚀处理的BCL3流量控制在50
‑
200sccm，时间控制在500
‑
2000s，腔室压力控制在1
‑
10mt。
[0015]作为本专利技术再进一步的方案：所述S3步骤中，第三步刻蚀处理的电极参数控制为：上电极功率0.8
‑
1.6KW，下电极功率500
‑
1000W。
[0016]在前述方案的基础上：所述S3步骤中，第三步刻蚀处理的BCL3流量控制在50
‑
200sccm，时间控制在100
‑
1000s，腔室压力控制在1
‑
10mt。
[0017]在前述方案的基础上优选的：所述S3步骤中，第三步刻蚀结束后进行检测，图形间隙底部平坦，侧壁弧度＜0.14um，无褶皱，即为合格。
[0018]本专利技术的有益效果为：
[0019]1.本专利技术提出的图形修饰方法，通过设置扫描蚀刻、主蚀刻、过度蚀刻的具体方式，并对其每一环节的功率、流量进行限定，能够确保图形间隙底部平坦，侧壁弧度小(＜0.14um)，无褶皱等异常，保障了处理效果。
附图说明
[0020]图1为本专利技术提出的一种纳米压印的图形修饰方法的流程图；
[0021]图2为本专利技术提出的一种纳米压印的图形修饰方法采用不同方案的合格率对比图。
具体实施方式
[0022]下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
[0023]实施例1：
[0024]一种纳米压印的图形修饰方法，包括如下步骤：
[0025]S1：第一步刻蚀，扫描蚀刻(Sweep Etch，简称SE)；
[0026]S2：第二步刻蚀，主蚀刻(Main Etch，简称ME)；
[0027]S3：第三步刻蚀，过度蚀刻(Over Etch简称OE)。
[0028]其中，所述第一步刻蚀使用氧气，短时间模式铲除掉纳米压印技术残留得底膜(成分为光刻胶)并一定程度上减小纳米压印图形顶宽。
[0029]其中，所述第二步刻蚀使用长时间，低功率模式提升选择比，累计足够得高度和宽度。
[0030]其中，所述第三步刻蚀使用高功率，短时间模式修饰图形形貌，改善图形侧壁弧度，剔除褶皱。
[0031]其中，所述底膜残留情况和纳米压印图形顶宽通过SEM量测确认，第一步刻蚀结束时纳米压印图形顶宽比底宽小0.2
‑
0.5um。
[0032]其中，所述S1步骤中，第一步刻蚀处理的电极参数控制为：上电极功率0.8
‑
1.6KW，下电极功率50
‑
300W。
[0033]其中，所述S1步骤中，第一步刻蚀处理的氧气流量控制在50
‑
300sccm，时间控制在30
‑
300s，腔室压力控制在1
‑
50mt。
[0034]其中，所述S2步骤中，第二步刻蚀处理的电极参数控制为：上电极功率0.8
‑
1.6KW，下电极功率300
‑
800W。
[0035]其中，所述S2步骤中，第二步刻蚀处理的BCL3流量控制在50
‑
200sccm，时间控制在500
‑
2000s，腔室压力控制在1
‑
10mt。
[0036]其中，所述S3步骤中，第三步刻蚀处理的电极参数控制为：上电极功率0.8
‑
1.6KW，下电极功率500
‑
1000W。
[0037]其中，所述S3步骤中，第三步刻蚀处理的BCL3流量控制在50
‑
200sccm，时间控制在100
‑
1000s，腔室压力控制在1
‑
10mt。
[0038]其中，所述S3步骤中，第三步刻蚀结束后进行检测，图形间隙底部平坦，侧壁弧度＜0.14um，无褶皱等异常，即为合格。
[0039]实施例2：
[0040]一种纳米压印的图形修饰方法，包括如下步骤：
[0041]S1：第一步刻蚀，扫描蚀刻(Sweep Etch，简称SE)；
[0042]S2：第二步刻蚀，主蚀刻(Main Etch，简称ME)；
[0043]S3：第三步刻蚀，过度蚀刻(Over Etch简称OE)。
[0044]其中，所述第一步刻蚀使用氧气，短时间模式铲除掉纳米压印技术残留得底膜(成分为光刻胶)并一定程度上减小纳米压印图形顶宽。
[0045]其中，所述第二步刻蚀使用长时间，低功率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米压印的图形修饰方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：第一步刻蚀，扫描蚀刻，使用氧气，铲除掉纳米压印技术残留得底膜，减小纳米压印图形顶宽；S2：第二步刻蚀，主蚀刻，提升选择比，累计足够得高度和宽度；S3：第三步刻蚀，过度蚀刻，修饰图形形貌，改善图形侧壁弧度，剔除褶皱。2.根据权利要求1所述的一种纳米压印的图形修饰方法，其特征在于，所述底膜残留情况和纳米压印图形顶宽通过SEM量测确认，第一步刻蚀结束时纳米压印图形顶宽比底宽小0.2
‑
0.5um。3.根据权利要求1所述的一种纳米压印的图形修饰方法，其特征在于，所述S1步骤中，第一步刻蚀处理的电极参数控制为：上电极功率0.8
‑
1.6KW，下电极功率50
‑
300W。4.根据权利要求3所述的一种纳米压印的图形修饰方法，其特征在于，所述S1步骤中，第一步刻蚀处理的氧气流量控制在50
‑
300sccm，时间控制在30
‑
300s，腔室压力控制在1
‑
50mt。5.根据权利要求1所述的一种纳米压印的图形修饰方法，其特征在于，所述S2步骤中，第二步刻蚀处理的电极参数控...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫士波，丁建峰，王刚，潘晓忠，姚志炎，
申请(专利权)人：徐州美兴光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：