一种平面闪存器件的形成方法技术

本申请提供一种平面闪存器件的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域和第二区域之间的半导体衬底中形成第一沟槽；在所述第一区域的半导体衬底中形成若干第二沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中以及半导体衬底表面沉积隔离材料，所述隔离材料表面高于所述半导体衬底表面设定高度，所述设定高度为所述平面闪存器件的有效场高度；在所述第一隔离结构表面和所述第二隔离结构表面形成牺牲层；在所述半导体衬底表面形成表面与所述牺牲层共面的介质层；去除所述牺牲层。所述平面闪存器件的有效场高度是通过化学机械研磨工艺形成的，可以提高有效场高度均匀性，改善隔离结构表面形貌。离结构表面形貌。离结构表面形貌。

【技术实现步骤摘要】
一种平面闪存器件的形成方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种平面闪存器件的形成方法。

技术介绍

[0002]闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。
[0003]根据结构不同，快闪闪存器件可以分为或非闪存(Nor Flash)和与非闪存(NAND Flash)两种。NAND闪存器件具有较高的单元密度、较高的存储密度、较快的写入和擦除速度等优势，逐渐成为了快闪闪存器件中较为普遍使用的一种结构。
[0004]目前的平面NAND闪存闪存器件存储区域的有效场高度由于工艺路线导致其均一性会受到比较大的影响，这会在很大程度上影响工作单元的写入、擦除电压的一致性以及相应期间的反应速度。
[0005]因此，有必要提供一种更有效、更可靠的技术方案。

技术实现思路

[0006]本申请提供一种平面闪存器件的形成方法，可以提高存储区有效场高度均匀性，改善存储区有效场表面形貌。r/>[0007]本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平面闪存器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域为存储区，所述第二区域为外围电路区；在所述第一区域和第二区域之间的半导体衬底中形成第一沟槽；在所述第一区域的半导体衬底中形成若干第二沟槽，所述第二沟槽的深度小于所述所述第一沟槽的深度，且所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中以及半导体衬底表面沉积隔离材料，所述隔离材料表面高于所述半导体衬底表面设定高度，其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽对应位置的隔离材料分别形成第一隔离结构第二隔离结构，其中，所述设定高度为所述平面闪存器件的有效场高度；在所述第一隔离结构表面和所述第二隔离结构表面形成牺牲层并去除所述半导体衬底表面上的所述隔离材料；在所述半导体衬底表面形成表面与所述牺牲层共面的介质层；去除所述牺牲层。2.如权利要求1所述闪存器件的形成方法，其特征在于，在所述第一区域和第二区域之间的半导体衬底中形成第一沟槽的方法包括：在所述半导体层衬底表面形成图案化的第一光阻层，所述图案化的第一光阻层定义所述第一沟槽的位置；以所述图案化的第一光阻层为掩膜干法刻蚀所述半导体衬底形成所述第一沟槽；去除所述图案化的第一光阻层。3.如权利要求1所述闪存器件的形成方法，其特征在于，在所述第一区域的半导体衬底中形成若干第二沟槽的方法包括：在所述半导体层衬底表面和所述第一沟槽中形成图案化的第二光阻层，所述图案化的第二光阻层在所述第一区域定义所述若干第二沟槽的位置；以所述图案化的第二光阻层为掩膜干法刻蚀所述半导体衬底形成所述若干第二沟槽；去除所述图案化的第二光阻层。4.如权利要求1所述闪...

【专利技术属性】
技术研发人员：张思宇，李志国，刘玉丽，郭得亮，隋振超，
申请(专利权)人：中芯北方集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：