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本申请提供一种平面闪存器件的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域和第二区域之间的半导体衬底中形成第一沟槽；在所述第一区域的半导体衬底中形成若干第二沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中以...
该专利属于中芯北方集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯北方集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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