【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
[0002]作为功率半导体装置等半导体装置,提出有将半导体元件和厚度比较大的导电块即铜块通过封装树脂封装起来的半导体装置(例如,专利文件1)。
[0003]专利文件1:日本特开2013
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131592号公报
技术实现思路
[0004]半导体装置要求在高温环境下也进行工作。然而,在制造时如果使高温工作用的封装树脂硬化,则从硬化开始时的温度到室温的温差大,因此封装树脂的热膨胀以及收缩应力比较大。其结果,封装树脂的应力集中在用来接合铜块的焊料,焊料有可能会从铜块剥离。
[0005]于是,本专利技术是鉴于上述问题而提出的,其目的是提供能够抑制焊料从铜块剥离的技术。
[0006]本专利技术涉及的半导体装置具有:铜图案;铜块,其经由第一焊料接合至所述铜图案之上;电极端子,其经由第二焊料接合至所述铜块之上;半导体元件,其与所述铜图案电连接;以及封装树脂,其将所述铜图案、所述第一焊料、所述铜块、所述第二焊料、所述电极端子以 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置,其具有:铜图案;铜块,其经由第一焊料接合至所述铜图案之上;电极端子,其经由第二焊料接合至所述铜块之上;半导体元件,其与所述铜图案电连接;以及封装树脂,其将所述铜图案、所述第一焊料、所述铜块、所述第二焊料、所述电极端子以及所述半导体元件覆盖,所述铜块中的由所述第一焊料接合的部分的面积大于所述铜块中的由所述第二焊料接合的部分的面积。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述铜块...
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