半导体装置和半导体封装制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置和半导体封装。所述半导体装置包括半导体基板、设置在所述半导体基板的上部的输入和输出I/O焊盘、以及设置在I/O焊盘上方的第一凸块柱。所述第一凸块柱在第一水平方向上选择性地布置在一些I/O焊盘上方。盘上方。盘上方。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和半导体封装


[0001]本公开提供具有凸块柱的半导体装置和制造半导体装置的方法、具有焊盘柱的封装基板、以及具有半导体装置和封装基板的半导体封装。

技术介绍

[0002]半导体装置的输入和输出(I/O)焊盘之间的距离和封装基板的凸块焊盘之间的距离逐渐减小。因此，接合并连接半导体装置和封装基板的焊料凸块之间的间隙变得更小，并且出现诸如焊料凸块之间的桥接之类的问题。

技术实现思路

[0003]根据本公开的实施方式的半导体装置可以包括基板、设置在所述半导体基板的上部的输入和输出(I/O)焊盘、以及设置在I/O焊盘上方的第一凸块柱。所述第一凸块柱在第一水平方向上选择性地布置在一些I/O焊盘上方。
[0004]根据本公开的实施方式的半导体封装可以包括层叠在封装基板上方的半导体装置。所述半导体装置可以包括半导体基板、与所述半导体基板的一个表面相邻设置的输入和输出(I/O)焊盘、以及设置在I/O焊盘上方的第一凸块柱。所述第一凸块柱可以在第一水平方向上选择性地布置在一些I/O焊盘上方。所述封装基板可以包括基层和设置在所述基层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：半导体基板；输入/输出I/O焊盘，所述I/O焊盘设置在所述半导体基板的上部；以及第一凸块柱，所述第一凸块柱设置在所述I/O焊盘上方，其中，所述第一凸块柱在第一水平方向上选择性地布置在一些I/O焊盘上方。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一凸块柱被布置为在所述第一水平方向上跳过每隔一个I/O焊盘并设置在每隔一个I/O焊盘上方。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一凸块柱被布置为在第二水平方向上跳过每隔一个I/O焊盘并设置在每隔一个I/O焊盘上方，所述第二水平方向垂直于所述第一水平方向。4.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置进一步包括：第二凸块柱，所述第二凸块柱设置在所述I/O焊盘上方，以在所述第一水平方向上与所述第一凸块柱交替布置。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一凸块柱和所述第二凸块柱沿第二水平方向交替布置在所述I/O焊盘上方，所述第二水平方向垂直于所述第一水平方向。6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一凸块柱具有第一竖直高度，所述第二凸块柱具有第二竖直高度，并且所述第一竖直高度大于所述第二竖直高度。7.一种半导体封装，该半导体封装包括层叠在封装基板上方的半导体装置，其中，所述半导体装置包括：半导体基板；输入/输出I/O焊盘，所述I/O焊盘与所述半导体基板的一个表面相邻设置；以及设置在所述I/O焊盘上方的第一凸块柱，其中，所述第一凸块柱在第一水平方向上选择性地布置在一些I/O焊盘上方，其中，所述封装基板包括：基层；以及设置在所述基层的上部的凸块焊盘，其中，所述凸块焊盘中的每一个与所述I/O焊盘中的每一个竖直对准。8.根据权利要求7所述的半导体封装，所述半导体封装还包括：设置在所述第一凸块柱和所述凸块焊盘之间的焊料凸块。9.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述封装基板还包括在所述第一水平方向上设置在一些凸块焊盘上方的第一焊盘柱。10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述第一凸块柱中的每一个和所述第一焊盘柱中的每一个不彼此竖直对准。11.根据权利要求9所述的半导体封装，
其中，所述封...

【专利技术属性】
技术研发人员：金翅荺，金康勋，宋俊蓉，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：