半导体倒装封装结构及其制作方法技术

公开了一种半导体倒装封装结构及其制作方法。该半导体倒装封装结构具有导电性再布线层和腐蚀阻挡层。腐蚀阻挡层用于完全覆盖导电性再布线层的顶面和侧面，并从导电性再布线层的侧面根部向外延伸覆盖部分钝化层顶面，防止再布线层间漏电甚至短路。采用溅射工艺就可形成腐蚀阻挡层。半导体倒装封装结构的可靠性高，同时在制作该半导体倒装封装结构时的工艺一致性好，良率高。良率高。良率高。

【技术实现步骤摘要】
半导体倒装封装结构及其制作方法


[0001]本专利技术的实施例涉及半导体器件，特别地，涉及改善半导体器件的可靠性的一种半导体倒装封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]倒装芯片封装已经在电源芯片领域已逐渐成为主要的封装技术，尤其是随着芯片电流不断增加，对寄生参数引起的功率损耗降低，以及散热能力提高，有更高的要求。在倒装工艺前端的凸点工艺中，以铜作为再布线层的使用可以极大提高的芯片性能，以满足上述需求。
[0003]与此同时，芯片技术也在不断进步，随之而来的硅粒尺寸越来越小，功率密度加倍增加，导致再布线层的间距被不断压缩。产品在高温高湿环境中出现的电化学腐蚀引起再布线层间漏电甚至短路的几率不断放大，存在严重的可靠性风险。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中的一个或多个问题，本专利技术提供一种半导体倒装封装结构及其制作方法。
[0005]本专利技术的第一方面提出一种半导体倒装封装结构，包括：半导体衬底，包括至少一个导电焊盘制作于该半导体衬底上；钝化层，覆盖所述半导体衬底；多个通孔，每个通孔穿过所述钝化层直本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体倒装封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：半导体衬底，包括至少一个导电焊盘制作于该半导体衬底上；钝化层，覆盖所述半导体衬底；多个通孔，每个通孔穿过所述钝化层直至暴露出部分所述导电焊盘；导电性再布线层，填充所述多个通孔并覆盖部分所述钝化层；腐蚀阻挡层，完全覆盖所述导电性再布线层的顶面、侧面以及和所述导电性再布线层的侧面的根部相邻的部分钝化层的顶面；以及至少一个导电凸点，制作于所述腐蚀阻挡层顶面的选定部分上，其中，所述至少一个导电凸点通过所述多个通孔耦接至所述至少一个导电焊盘。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述腐蚀阻挡层的厚度为0.1微米至0.5微米。3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述腐蚀阻挡层包括耐电化学腐蚀金属。4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构进一步包括：凸点下金属层，覆盖于所述导电性再布线层正下方的钝化层上以及所述多个通孔的侧壁和底部。5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构进一步包括：绝缘层，形成于腐蚀阻挡层上，包裹形成在所述导电性再布线层侧面和形成在所述导电性再布线层顶面边沿部分的腐蚀阻挡层。6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述至少一个导电凸点包括：支撑层，制作于所述导电性再布线层的选定部分上；合金抑制层，制作于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：万亮，
申请(专利权)人：晶艺半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：