半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置能够防止在将片状的烧结材料层转印于半导体芯片时的烧结材料层的弯曲形状所引起的烧结材料层的接合强度的下降。具备：半导体芯片(3)；烧结材料层(2)，其与半导体芯片(3)的下表面接合，该烧结材料层(2)的厚度(t1)随着接近半导体芯片(3)的外周而变薄；以及导电板(11)，其具有与半导体芯片(3)的下表面相向的主表面，在该主表面设置有与烧结材料层(2)接触的凹部(11a)，该凹部(11a)的深度(d1)随着接近半导体芯片(3)的外周而变浅。(d1)随着接近半导体芯片(3)的外周而变浅。(d1)随着接近半导体芯片(3)的外周而变浅。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体装置(半导体模块)及其制造方法。

技术介绍

[0002]关于以往的半导体模块，半导体芯片、绝缘电路基板以及散热基座利用焊料相互接合，最终经由热复合物安装于冷却片来进行使用。在半导体芯片与绝缘电路基板的接合中，主要实施的是焊接，但近年来，出于高耐热性、高散热性、高可靠性等目的，对使用了银(Ag)等金属的纳米粒子或者微米粒子的烧结接合技术进行了研究。
[0003]在烧结接合技术所使用的烧结材料中，有膏状的烧结材料(烧结膏)以及片状的烧结材料(烧结片)。使用金属掩模等将烧结膏涂布在绝缘电路基板上，并将烧结膏进行干燥来进行使用。烧结片在被转印于半导体芯片的下表面之后，以配置在绝缘电路基板上的方式接合。在使用烧结膏和烧结片中的任一种的情况下，通过进行加压和加热来使烧结材料烧结，从而将绝缘电路基板与半导体芯片接合。
[0004]专利文献1中公开了如下内容：通过在烧结片形成与半导体芯片的表面侧的凸部对应的凹部来抑制半导体芯片的破坏。专利文献2中公开了如下内容：在宽带隙材料底座设置凹部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体芯片；烧结材料层，其与所述半导体芯片的下表面接合，所述烧结材料层的厚度随着接近所述半导体芯片的外周而变薄；以及导电板，其具有与所述半导体芯片的下表面相向的主表面，在该主表面设置有与所述烧结材料层接触的凹部，所述凹部的深度随着接近所述半导体芯片的外周而变浅。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述凹部的至少端部是曲面。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述凹部具有平坦的底面。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述凹部具有锥形的截面形状。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述烧结材料层的外周与所述半导体芯片的外周一致。6.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述烧结材料层的外周设置于比所述半导体芯片的外周靠外侧的位置。7.根据权利要求1～6中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述凹部的外周与所述半导体芯片的外周一致。8.根据权利要求1～6中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述凹部的外周设置于比所述半导体芯片的外周靠外侧的位置。9.根据权利要求1～6中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述凹部的外周设...

【专利技术属性】
技术研发人员：鹤冈辽太郎，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：