有机金属化合物、含该化合物的前体组合物及用其的薄膜制备方法技术

本发明专利技术涉及可通过气相沉积来沉积一薄膜的气相沉积化合物，具体而言，涉及可应用在原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)的具有优异的反应性、挥发性和热稳定性的含有机金属化合物、包含所述有机金属化合物的前体组合物、使用所述前体组合物的薄膜制备方法、以及通过所述前体组合物制备的含有机金属的薄膜。所述前体组合物制备的含有机金属的薄膜。所述前体组合物制备的含有机金属的薄膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机金属化合物、含该化合物的前体组合物及用其的薄膜制备方法


[0001]本专利技术涉及可通过气相沉积来沉积一薄膜的气相沉积化合物，具体而言，涉及可应用在原子层沉积或化学气相沉积的具有优异的反应性、挥发性和热稳定性的新型有机金属化合物、包含所述有机金属化合物的前体组合物、使用所述前体组合物的薄膜制备方法、以及通过所述前体组合物制备的含有机金属的薄膜。

技术介绍

[0002]有机金属前体薄膜可形成不同组成的金属薄膜、氧化物薄膜及氮化物薄膜，且在半导体领域中被广泛应用。形成薄膜的方法包括化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)，且随着半导体材料的高度集成化和超细化，具有薄膜的均匀制备、薄膜厚度可调节及高台阶覆盖性等优点的原子层沉积(ALD)的必要性正在被强调。在此情况下，用于原子层沉积(ALD)的前体也具有相当重要的作用，且需要高挥发性及热稳定性。
[0003]在有机金属的金属薄膜中，特别是锰金属薄膜用于有机半导体电极和铁磁(ferromagnetic)电极的材料。氧化锰薄膜可用于电极材料(electrode materials)、电化学本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机金属化合物，如下列式1所表示：在式1中，M为锰、铜、钴、铁或镍；a为2；b为1或2，且当M为钴时b不为2；R1及R2各自独立地为氢，或具有1至4个碳原子的一直链或支链烷基；R3为
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OR4或
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NR5R6；R4为氢，或具有1至4个碳原子的一直链或支链烷基；及R5及R6各自独立地为氢、具有1至4个碳原子的一直链或支链烷基，或具有1至6个碳原子的一直链或支链烷基硅烷基。2.根据权利要求1所述的有机金属化合物，其中，R1、R2及R4各自独立地为选自由氢、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基组成的组中的任意一种。3.根据权利要求1所述的有机金属化合物，其中，R5和R6各自独立地为选自由氢、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、甲基硅烷基、二甲基硅烷基...

【专利技术属性】
技术研发人员：金孝淑，朴玟星，任民赫，昔壮衒，朴正佑，
申请(专利权)人：韩松化学株式会社，
类型：发明
国别省市：