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本发明涉及可通过气相沉积来沉积一薄膜的气相沉积化合物，具体而言，涉及可应用在原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)的具有优异的反应性、挥发性和热稳定性的含有机金属化合物、包含所述有机金属化合物的前体组合物、使用所述前体组合物的薄膜制备...
该专利属于韩松化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过韩松化学株式会社授权不得商用。

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