一种基于超声雾化制备二维晶体材料的MOCVD装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基于超声雾化制备二维晶体材料的MOCVD装置及方法，属于二维晶体材料制备领域，具体的MOCVD装置包括：反应室内设置有样品台和超声雾化喷头；第一雾化装置用于放置液态第一原材料，并用于将所述第一原材料直接雾化以产生第一原材料的蒸气；第二雾化装置用于放置固态第二原材料，并用于所述第二原材料加热以产生第二原材料的蒸气；本发明专利技术技术方案可有效解决二维晶体材料制备过程中源在运输途中液化为大颗粒液滴和静态混气效果差的问题，使得材料制备精度高，产品均匀性和重复性好，化学气相沉积设备适用范围广的优点。化学气相沉积设备适用范围广的优点。化学气相沉积设备适用范围广的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种基于超声雾化制备二维晶体材料的MOCVD装置及方法


[0001]本专利技术属于二维晶体材料制备领域，尤其涉及一种基于超声雾化制备二维晶体材料的MOCVD装置及方法。

技术介绍

[0002]MOCVD (Metal
‑
Organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化学气相沉积)是在气相外延 (VPE) 技术基础上发展出的一种化学气相外延生长技术。1968年由美国洛克威尔公司的 H. M. Manasevit提出，从20世纪80年代开始得到迅速发展，并在制备二维半导体异质结材料方面显示出巨大的优越性，以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和
Ⅴ
族、
Ⅵ
族元素的氢化物为源材料，由载气携带并输送到反应室内，在加热的衬底表面发生相应的化学反应，生成各种
Ⅲ‑Ⅴ
族、
Ⅱ‑Ⅵ
族化合物二维原子晶体材料，并在衬底淀积，从而得到相应的外延二维晶体薄膜材料。
[0003]目前MOCVD对于固态或液态源的传输，大多是通过水浴加热蒸发，然后用运载气体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于超声雾化制备二维晶体材料的MOCVD装置，其特征在于，包括：气体源通道、非气态源雾化通道、超声雾化喷头、反应室；所述气体源通道、非气态源雾化通道的出口分别连接超声雾化喷头进口，所述超声雾化喷头出口位于反应室内部顶端，所述反应室内部底端位于超声雾化喷头正下方位置安装样品台。2.根据权利要求1所述的基于超声雾化制备二维晶体材料的MOCVD装置，其特征在于，所述非气态源雾化通道为多条液态源雾化通道、固态源雾化通道或两种通道共同组成。3.根据权利要求2所述的基于超声雾化制备二维晶体材料的MOCVD装置，其特征在于，所述液态源雾化通道中设置液态源雾化装置，所述液态源雾化装置包括容器、超声微孔雾化片、吸液棉、盖子；所述盖子为阶梯形，底端卡在容器顶端外侧，所述盖子与容器接触的上方设置超声微孔雾化片，所述超声微孔雾化片与盖子之间设置减震橡胶，所述盖子侧面位于超声微孔雾化片上方设置运载气体进气口；所述盖子顶部设置出口；所述吸液棉位于容器中，底部置于液态源中，顶部连接超声微孔雾化片上通孔阵列的金属片；将液态源通过吸液棉传输至超声微孔雾化片中通孔阵列的金属片，由压电陶瓷驱动进行雾化至更小的颗粒甚至汽化。4.根据权利要求2所述的基于超声雾化制备二维晶体材料的MOCVD装置，其特征在于，所述固态源雾化通道中设置固态源雾化装置，所述固态源雾化装置包括容器、耐高超声微孔雾化片、盖子；所述盖子为阶梯形，底端卡在容器顶端外侧，所述盖子与容器接触的上方设置耐高温超声微孔雾化片，所述耐高温超声微孔雾化片与盖子之间设置耐高温减震块，所述盖子侧面位于耐高温超声微孔雾化片上方设置运载气体进气口；所述盖子顶部设置出口；所述容器的底部设置加热底座，固体源放置于加热底座上，通过加热使得固体源蒸发至耐高温驱动器中通孔阵列的金属片，由压电陶瓷驱动进一步雾化至更小的颗粒甚至汽化。...

【专利技术属性】
技术研发人员：台国安，伍增辉，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：