一种用于制备外延片的转盘式反应器、制备方法及用途技术

本发明专利技术提供了一种用于制备外延片的转盘式反应器、制备方法及用途，包括壳体，壳体内设置有转盘和位于转盘上方的喷淋装置，转盘的底面设置有转筒，转筒的一端敞口边缘与转盘的底面边缘对接，转筒用于带动转盘旋转；转盘下方设置有加热盘，加热盘覆盖转盘的整个底面，加热盘包括呈同心圆设置的至少三个主体加热件，相邻两个主体加热件之间设置有过渡加热件。以转筒形成的边缘旋转代替转轴形成的中心旋转，在转盘中心位置处设置加热件，扩大了转盘的中心加热区域，通过设置过渡加热件，以调节相邻两个主体加热件之间的加热功率密度的差异，使得转盘上方的温度分布更均匀，满足了大尺寸外延片的生产需求。延片的生产需求。延片的生产需求。

【技术实现步骤摘要】
一种用于制备外延片的转盘式反应器、制备方法及用途


[0001]本专利技术属于外延片制备
，涉及一种用于制备外延片的转盘式反应器、制备方法及用途。

技术介绍

[0002]金属有机化学气相沉淀(以下简称MOCVD)，是在外延片上通过沉积一层或持续沉积多层外延晶格结构薄膜，以形成如发光二极管(LED)等半导体器件的过程。半导体器件的性能和良品率，如波长、亮度和前置电压的正态分布，直接由外延片(或称衬底基片)上各层外延薄膜的质量、厚度与材料组成的均匀性决定；而外延片的均匀性，又与外延片的温度均匀性和外延片表面上反应气体的均匀混合情况和分布情况直接关联。例如，在外延关键的发光晶格薄膜时，如外延片的温差大于3℃，该器件的良品率可能降低15％～20％。
[0003]另外，随着HEMT、Micro
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LED等市场应用的逐步打开，为提高系统的产能，降低基片外延的生产成本，在MOCVD反应腔内同时进行外延生长的外延片数量在不断增加，其中不乏大尺寸的外延片。外延片的尺寸从传统的4英寸和6英寸迅速向8英寸甚至12英寸的大尺寸方向发展，对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制备外延片的转盘式反应器，其特征在于，所述转盘式反应器包括壳体，所述壳体内设置有转盘和位于所述转盘上方的喷淋装置，所述转盘的底面设置有转筒，所述转筒的一端敞口边缘与所述转盘的底面边缘对接，所述转筒用于带动所述转盘旋转；所述转盘下方设置有加热盘，所述加热盘覆盖所述转盘的整个底面，所述加热盘包括呈同心圆设置的至少三个主体加热件，相邻两个所述主体加热件之间设置有过渡加热件。2.根据权利要求1所述的用于制备外延片的转盘式反应器，其特征在于，所述主体加热件包括由外至内依次设置的外圈加热环、内圈加热环和中心加热片；所述过渡加热件包括位于所述外圈加热环与所述内圈加热环之间的外圈过渡环，以及位于所述内圈加热环与所述中心加热片之间的内圈过渡环；所述中心加热片为圆形结构且位于所述加热盘的底面中心区域，所述内圈过渡环、内圈加热环、外圈过渡环和外圈加热环以所述中心加热片为中心由内至外呈同心圆结构分布。3.根据权利要求2所述的用于制备外延片的转盘式反应器，其特征在于，所述内圈加热环的环宽≥所述中心加热片的半径≥所述外圈加热环的环宽＞所述外圈过渡环的环宽≥所述内圈过渡环的环宽；优选地，所述外圈加热环的环宽、所述外圈过渡环的环宽以及所述内圈加热环的环宽之间满足如下关系：外圈过渡环的环宽＝(1/50～1/25)(外圈加热环的环宽+内圈加热环的环宽)；优选地，所述内圈加热环的环宽、所述内圈过渡环的环宽以及所述中心加热片的半径之间满足如下关系：内圈过渡环的环宽＝(1/50～1/25)(内圈加热环的环宽+中心加热片的半径)。4.根据权利要求2或3所述的用于制备外延片的转盘式反应器，其特征在于，所述壳体的内径为100～500mm；所述外圈加热环的环宽为5～25mm；所述外圈过渡环的环宽为5～10mm；所述内圈加热环的环宽为70～350mm；所述内圈过渡环的环宽为3～8mm；所述中心加热片的半径为10～50mm。5.根据权利要求2
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4任一项所述的用于制备外延片的转盘式反应器，其特征在于，所述主体加热件和所述过渡加热件具有不同的加热功率密度，所述过渡加热件的加热功率密度位于相邻两个所述主体加热件的加热功率密度之间。6.根据权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国斌，李增林，
申请(专利权)人：江苏第三代半导体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：