一种用于反应室的倒置式气浮装置、反应室及外延设备制造方法及图纸

本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于反应室的倒置式气浮装置、反应室及外延设备，其包括：反应室，其室内设有反应腔和位于反应腔上的旋转片盒放置槽，旋转片盒放置槽的底部设有与反应腔连通的第一开口；设置在旋转片盒放置槽底部的多个出气口，多个出气口沿第一开口中心圆周分布；旋转片盒，用于承托硅片，放置在旋转片盒放置槽内，旋转片盒底面设有正对于第一开口的第二开口，旋转片盒底面设有位于出气口上方的圆槽和圆周阵列在圆槽外周并与圆槽连通的多个倾斜槽；该装置能够避免出现由于反应室上开设有孔洞而对反应室的温场均匀性造成影响的问题。场均匀性造成影响的问题。场均匀性造成影响的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种用于反应室的倒置式气浮装置、反应室及外延设备


[0001]本申请涉及外延生长
，具体而言，涉及一种用于反应室的倒置式气浮装置、反应室及外延设备。

技术介绍

[0002]现有的MOCVD设备的反应室包括用于承载硅片的基座，该基座设置在反应室的内底壁上（即现有的反应室为卧式），在外延生长碳化硅薄膜的过程中，需要向反应室内通入反应气体和将反应室的内部温度加热至1600
‑
1700℃。在高温环境下，反应气体会沉积在反应室的内顶壁上以形成沉积物，而该沉积物在沉积量过多时在重力的作用下可能会掉落到硅片上，从而对硅片的生长质量造成影响。为了解决该问题，现有技术将基座设置在反应室顶部并通过外置的驱动机构驱动基座旋转，外置的驱动机构需要贯穿反应室顶部的孔洞才能与基座传动连接，由于MOCVD通过感应线圈加热石墨层的方式对反应室进行加热，而在反应室顶部开孔会破坏石墨层和反应室的结构完整性，从而导致反应室的温度分布不均匀，因此现有技术存在由于反应室上开设有孔洞而对反应室的温场均匀性造成影响的问题。
[0003]针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种用于反应室的倒置式气浮装置、反应室及外延设备，能够避免出现由于反应室上开设有孔洞而对反应室的温场均匀性造成影响的问题。
[0005]第一方面，本申请提供了一种用于反应室的倒置式气浮装置，其包括：反应室，其室内设有反应腔和位于反应腔上的旋转片盒放置槽，旋转片盒放置槽的底部设有与反应腔连通的第一开口；设置在旋转片盒放置槽底部的多个出气口，多个出气口沿第一开口中心圆周分布；旋转片盒，用于承托硅片，放置在旋转片盒放置槽内，旋转片盒底面设有正对于第一开口的第二开口，旋转片盒底面设有位于出气口上方的圆槽和圆周阵列在圆槽外周并与圆槽连通的多个倾斜槽。
[0006]本申请提供的一种用于反应室的倒置式气浮装置，通过气浮气体、设置在旋转片盒放置槽底部的多个出气口、设置在旋转片盒底面的圆槽和倾斜槽驱动旋转片盒悬浮和旋转，由于该气浮装置通过气浮的方式驱动旋转片盒旋转，因此该气浮装置无需在反应室上开设用于使基座与外设的旋转机构传动连接的孔洞，从而避免出现由于反应室上开设有孔洞而对反应室的温场均匀性造成影响的问题。
[0007]可选地，旋转片盒包括盒体和限位块，盒体用于放置硅片，限位块可拆卸地安装在盒体上，限位块用于固定硅片在盒体中的位置。
[0008]由于在旋转片盒旋转时该技术方案的硅片不会在旋转片盒中发生移位，因此该技术方案能够有效地避免出现由于硅片在旋转片盒中发生移位，反应气体无法与硅片均匀接
触而对外延生长的质量造成影响的问题。
[0009]可选地，盒体内设有用于放置硅片的放置槽，盒体侧面设有用于取放硅片的第一取放槽，限位块靠近盒体轴心的一侧具有阶梯部，阶梯部在限位块安装在盒体上后压紧硅片。
[0010]可选地，盒体的内顶壁中心设有限位槽，旋转片盒放置槽的顶部设有与限位槽配合的凸柱。
[0011]当旋转片盒悬浮时，盒体内顶壁中心的限位槽与旋转片盒放置槽顶部的凸柱配合以确定旋转片盒旋转的旋转中心，从而有效地避免旋转片盒在旋转过程中相对于旋转片盒放置槽位移，进而有效地提高外延生长的质量。
[0012]可选地，旋转片盒放置槽的底部两侧设有用于取放旋转片盒的第二取放槽。
[0013]可选地，倾斜槽的数量为4
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12个。
[0014]该技术方案能够有效地避免出现由于倾斜槽的数量过少、旋转片盒在水平方向上所受的作用力过小而导致旋转片盒无法旋转，以及由于倾斜槽的数量过多而导致旋转片盒的加工难度大、生产成本高的问题。
[0015]可选地，出气口的数量为12
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20个。
[0016]该技术方案能够有效地避免出现由于出气口的数量过少而导致气浮气体无法驱动旋转片盒浮起以及旋转和由于出气口的数量过多而导致旋转片盒放置槽的加工难度大、生产成本高的问题。
[0017]可选地，反应室包括上半月石墨腔体和下半月石墨腔体，上半月石墨腔体的两侧通过侧壁支撑石墨件与下半月石墨腔体连接，以围合构成反应腔。
[0018]第二方面，本申请还提供了一种反应室，该反应室包括如上述第一方面提供的用于反应室的倒置式气浮装置。
[0019]本申请提供的一种反应室，通过气浮气体、设置在旋转片盒放置槽底部的多个出气口、设置在旋转片盒底面的圆槽和倾斜槽驱动旋转片盒悬浮和旋转，由于该反应室通过气浮的方式驱动旋转片盒旋转，因此该反应室无需开设用于使基座与外设的旋转机构传动连接的孔洞，从而避免出现由于反应室上开设有孔洞而对反应室的温场均匀性造成影响的问题。
[0020]第三方面，本申请还提供了一种外延设备，该外延设备包括如上述第二方面提供的反应室。
[0021]本申请提供的一种外延设备，通过气浮气体、设置在旋转片盒放置槽底部的多个出气口、设置在旋转片盒底面的圆槽和倾斜槽驱动旋转片盒悬浮和旋转，由于该外延设备通过气浮的方式驱动旋转片盒旋转，因此该外延设备无需在反应室上开设用于使基座与外设的旋转机构传动连接的孔洞，从而避免出现由于反应室上开设有孔洞而对反应室的温场均匀性造成影响的问题。
[0022]由上可知，本申请提供的一种用于反应室的倒置式气浮装置、反应室及外延设备，通过气浮气体、设置在旋转片盒放置槽底部的多个出气口、设置在旋转片盒底面的圆槽和倾斜槽驱动旋转片盒悬浮和旋转，由于该气浮装置通过气浮的方式驱动旋转片盒旋转，因此该气浮装置无需在反应室上开设用于使基座与外设的旋转机构传动连接的孔洞，从而避免出现由于反应室上开设有孔洞而对反应室的温场均匀性造成影响的问题。
附图说明
[0023]图1为本申请实施例提供的一种用于反应室的倒置式气浮装置的结构示意图。
[0024]图2为图1中的A部分的放大结构示意图。
[0025]图3为本申请实施例提供的一种反应室的结构示意图。
[0026]图4为本申请实施例提供的一种反应室沿图3中的B
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B剖面线的剖面结构示意图。
[0027]图5为本申请实施例提供的一种反应室沿图3中的C
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C剖面线的剖面结构示意图。
[0028]图6为本申请实施例提供的一种盒体的结构示意图。
[0029]图7为本申请实施例提供的一种盒体的仰视结构示意图。
[0030]图8为本申请实施例提供的一种限位块的结构示意图。
[0031]附图标记：1、反应室；11、上半月石墨腔体；12、下半月石墨腔体；13、侧壁支撑石墨件；14、反应腔；2、旋转片盒放置槽；21、凸柱；22、第一开口；23、释放槽；3、出气口；4、旋转片盒；41、盒体；411、限位槽；42、限位块；421、阶梯部；43、第二开口；44、圆槽；45、倾斜槽；5、第二取放槽；6、气浮气体进气气路。
具体实施方式
[0032]下面将结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于反应室的倒置式气浮装置，反应室内设有反应腔，其特征在于，所述反应室内还设有位于所述反应腔上的旋转片盒放置槽，所述旋转片盒放置槽的底部设有与所述反应腔连通的第一开口，所述用于反应室的倒置式气浮装置包括：设置在所述旋转片盒放置槽底部的多个出气口，所述多个出气口沿所述第一开口中心圆周分布；旋转片盒，用于承托硅片，放置在所述旋转片盒放置槽内，所述旋转片盒底面设有正对于所述第一开口的第二开口，所述旋转片盒底面设有位于所述出气口上方的圆槽和圆周阵列在所述圆槽外周并与所述圆槽连通的多个倾斜槽。2.根据权利要求1所述的用于反应室的倒置式气浮装置，其特征在于，所述旋转片盒包括盒体和限位块，所述盒体用于放置所述硅片，所述限位块可拆卸地安装在所述盒体上，所述限位块用于固定所述硅片在所述盒体中的位置。3.根据权利要求2所述的用于反应室的倒置式气浮装置，其特征在于，所述盒体内设有用于放置所述硅片的放置槽，所述盒体侧面设有用于取放所述硅片的第一取放槽，所述限位块靠近所述盒体轴心的一侧具有阶梯部，所述阶梯部在所述限位块安装在所述盒体上后压紧所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桑田，毛朝斌，梁启恒，王鑫，仇礼钦，戴科峰，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：