半导体结构及其制造方法技术

本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底，基底内具有多个间隔排布的字线，相邻字线间具有沟槽；位线接触层，位线接触层底面和沟槽底面相接触，且位线接触层在远离沟槽底面的方向上具有非平面接触部；导电层，导电层与位线接触层的非平面接触部接触连接。本申请实施例至少有利于降低包括位线接触层和导电层的位线自身的电阻，从而有利于提高半导体结构的电学性能。性能。性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法


[0001]本申请实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器，由许多重复的存储单元器件组成。DRAM通常以一个存储电容和一个晶体管为一个存储单元器件排成二维矩阵，其中，晶体管的栅极与字线相连，用于控制晶体管的导通或关闭，晶体管的源端和漏端分别与位线和存储电容相连，通过位线在存储电容中读取数据或者存储数据。
[0003]然而，目前位线通常包括堆叠设置的位线接触层和导电层，随着DRAM的集成度的提高，位线的物理尺寸进一步缩减，位线接触层和导电层之间的接触面积进一步减小，导致位线接触层和导电层之间的接触电阻增加，位线自身的导电性降低，进而影响DRAM的电学性能和存取速度。
[0004]因此，如何降低位线自身的导电性以提升DRAM的电学性能，是目前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种半导体结构及其制造方法，至少有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底内具有多个间隔排布的字线，相邻所述字线间具有沟槽；位线接触层，所述位线接触层底面和所述沟槽底面相接触，且所述位线接触层在远离所述沟槽底面的方向上具有非平面接触部；导电层，所述导电层与所述位线接触层的所述非平面接触部接触连接。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述非平面接触部具有第一凸起以及所述第一凸起围成的至少一个凹槽，所述导电层在与所述凹槽相对应的位置具有第二凸起，所述第二凸起内嵌于所述凹槽内，且所述导电层的底面高于所述字线的顶面，同一所述导电层与至少两个所述非平面接触部接触连接。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凸起的数量为至少两个，且至少两个所述第一凸起组成的组合结构在所述基底上的正投影为轴对称图形。4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凸起的数量为1个，且所述第一凸起在所述基底上的正投影为轴对称图形。5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凸起在所述基底上的正投影为环形或者十字形。6.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述基底表面的方向上，单个所述凹槽底面具有至少两个深度不同的区域。7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽底面为朝向所述基底凹陷的凹面。8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述非平面接触部具有至少两个间隔设置的凹槽，且在垂直于所述基底表面的方向上，各所述凹槽的深度不同。9.如权利要求2或8所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽在所述基底上的正投影为轴对称图形。10.如权利要求2或8所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽在所述基底上的正投影为环形或...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱仕兵，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：