包括掩埋接触部的半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件，包括：有源图案；栅结构，连接到所述有源图案；位线结构，连接到所述有源图案；掩埋接触部，连接到所述有源图案；接触图案，覆盖所述掩埋接触部；着接焊盘，连接到所述接触图案；以及电容器结构，连接到所述着接焊盘，其中，所述掩埋接触部包括彼此间隔开的第一生长部分和第二生长部分，并且所述着接焊盘包括在所述第一生长部分和所述第二生长部分之间的插入部分。分之间的插入部分。分之间的插入部分。

【技术实现步骤摘要】
包括掩埋接触部的半导体器件及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年8月12日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10
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2021
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0106399的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。


[0003]实施例涉及一种包括掩埋接触部的半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0004]半导体器件凭借其诸如小型化、多功能化、低制造成本等之类的特性，作为电子工业中的重要元素日益受到重视。半导体器件可以分类为存储逻辑数据的半导体存储器件、算术处理逻辑数据的半导体逻辑器件、包括存储元件和逻辑元件的混合半导体器件等。随着电子工业的高速发展，对半导体器件的特定特性的需求正在逐渐增加。对半导体器件的高可靠性、高速、多功能化等的需求正在逐渐增加。为了满足这样的特定特性，半导体器件中的结构可能变得越来越复杂。此外，半导体器件可能变得越来越高度集成。

技术实现思路

[0005]实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，所述半导体器件包括：有源图案；栅结构，连接到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：有源图案；栅结构，连接到所述有源图案；位线结构，连接到所述有源图案；掩埋接触部，连接到所述有源图案；接触图案，覆盖所述掩埋接触部；着接焊盘，连接到所述接触图案；以及电容器结构，连接到所述着接焊盘，其中：所述掩埋接触部包括彼此间隔开的第一生长部分和第二生长部分，以及所述着接焊盘包括在所述第一生长部分和所述第二生长部分之间的插入部分。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述插入部分位于比所述第一生长部分的最上部的高度低并且比所述第二生长部分的最上部的高度低的高度处。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述插入部分在所述第一生长部分的内侧表面和所述第二生长部分的内侧表面之间。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述掩埋接触部还包括在所述第一生长部分和所述第二生长部分之间的基部；以及所述基部的顶表面的高度低于所述第一生长部分的最上部的高度，并且低于所述第二生长部分的最上部的高度。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述接触图案包括：第一部分，覆盖所述基部的顶表面；第二部分，覆盖所述第一生长部分的内侧表面；以及第三部分，覆盖所述第二生长部分的内侧表面。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：所述第一生长部分包括与所述第一生长部分的内侧表面连接的第一上弯曲表面、以及与所述第一生长部分的第一上弯曲表面和外侧表面连接的第二上弯曲表面；所述第二生长部分包括与所述第二生长部分的内侧表面连接的第三上弯曲表面、以及与所述第二生长部分的第三上弯曲表面和外侧表面连接的第四上弯曲表面；以及所述接触图案还包括：第四部分，覆盖所述第二上弯曲表面，以及第五部分，覆盖所述第四上弯曲表面。7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述插入部分在所述接触图案的所述第二部分和所述第三部分之间。8.一种半导体器件，包括：有源图案；栅结构，连接到所述有源图案；位线结构，连接到所述有源图案；掩埋接触部，连接到所述有源图案；以及电容器结构，电连接到所述掩埋接触部，其中：
所述掩埋接触部包括基部、以及位于所述基部的相对侧处的第一生长部分和第二生长部分，以及所述第一生长部分的最上部的高度和所述第二生长部分的最上部的高度高于所述基部的顶表面的高度。9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：在所述掩埋接触部和所述电容器结构之间的接触图案，其中，所述接触图案覆盖所述第一生长部分的最上部和所述第二生长部分的最上部。10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中：所述第一生长部分的最上部在所述第一生长部分的内侧表面和外侧表面之间；以及所述第二生长部分的最上部在所述第二生长部分的内侧表面和外侧表面之间。11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中：所述第一生长部分包括与所述第一生长部分的内侧表面连接的第一上弯曲表面、以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：李全一，金永埈，金真范，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：