一种接触孔制备方法、半导体结构及电子设备技术

本发明专利技术公开了一种接触孔制备方法、半导体结构及电子设备，所述方法，包括：在半导体结构的第一氧化层上端面生成掩膜层，在所述掩膜层上曝光出目标接触孔图形；按照所述目标接触孔图形对所述第一氧化层进行刻蚀，以裸露出所述目标接触孔位置对应的接触层上端面，以及所述目标接触孔位置对应的上层结构上端面；在刻蚀后表面沉积第二绝缘层，并在所述第二绝缘层之上沉积第二氧化层；去除所述第一氧化层上端面以上部分的第二绝缘层和第二氧化层，并从裸露出的所述接触层上端面向下刻蚀以去除部分所述接触层，以及从裸露出的所述上层结构上端面向下刻蚀以裸露出第零层接触上端面。向下刻蚀以裸露出第零层接触上端面。向下刻蚀以裸露出第零层接触上端面。

【技术实现步骤摘要】
一种接触孔制备方法、半导体结构及电子设备


[0001]本专利技术涉及半导体生产领域，尤其涉及一种接触孔制备方法、半导体结构及电子设备。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)制程工艺进入20nm以后，增加了半导体制程的工艺集成度，缩小器件尺寸的难度越来越高。随着半导体集成电路器件技术的不断发展，线宽逐渐减小，DRAM中的存储电容的高度不断增大，这样需将一些接触孔做得比较深，然而，高深宽比的接触孔的制程窗口比较窄，若接触孔的尺寸太大易导致短路，若接触孔的尺寸太小则易引起刻蚀不足的风险。

技术实现思路

[0003]为了解决现有的动态随机存取存储器中接触孔制备方式易导致短路或刻蚀不足的问题，本专利技术实施例提供了一种接触孔制备方法、动态随机存取存储器及电子设备。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种接触孔制备方法，应用于半导体结构，所述半导体结构包括阵列区和外围区，所述阵列区的基底上包括埋入式字线、第一绝缘层、所述第一绝缘层在远离所述埋入式字线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种接触孔制备方法，其特征在于，应用于半导体结构，所述半导体结构包括阵列区和外围区，所述阵列区的基底上包括埋入式字线、第一绝缘层、所述第一绝缘层在远离所述埋入式字线的方向具有存储电容阵列和接触层，所述接触层覆盖所述存储电容阵列，所述外围区的基底设置有有源区，在远离所述有源区的方向具有隔离层和栅极结构，所述隔离层覆盖所述栅极结构，所述隔离层包括下层结构、中层结构和上层结构，所述栅极结构的两侧包括第零层接触，所述第零层接触顶部低于所述上层结构上端面，在远离所述接触层和所述上层结构的方向具有第一氧化层，所述方法，包括：在所述第一氧化层上端面生成掩膜层，在所述掩膜层上曝光出目标接触孔图形；按照所述目标接触孔图形对所述第一氧化层进行刻蚀，以裸露出所述目标接触孔位置对应的所述接触层上端面，以及所述目标接触孔位置对应的所述上层结构上端面；在刻蚀后表面沉积第二绝缘层，并在所述第二绝缘层之上沉积第二氧化层；去除所述第一氧化层上端面以上部分的第二绝缘层和第二氧化层，并从裸露出的所述接触层上端面向下刻蚀以去除部分所述接触层，以及从裸露出的所述上层结构上端面向下刻蚀以裸露出所述第零层接触上端面。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层包括第一掩膜层和第二掩膜层；在所述第一氧化层上端面生成掩膜层，具体包括：在所述第一氧化层上端面生成第一掩膜层，并在所述第一掩膜层上端面生成第二掩膜层。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材质为碳，所述第二掩膜层的材质为氮氧化硅。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘层、所述上层结构、所述下层结构和所述第二绝缘层的材质相同。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二氧化层和所述第一氧化层的材质相同。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二氧化层的材质为二氧化硅。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘层的材质为氮化硅。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第一绝缘层上端面以上部分的第二绝缘层和第二氧化层的去除采用干法刻蚀工艺。9.一种接触孔制备方法，其特征在于，应用于半导体结构，所述半导体结构的基底上制备有位线、字线、有源区及位于相邻有源区之间的隔离结构，在远离所述有源区的方向具有隔离层和栅极结构，所述隔离层覆盖所述栅极结构，所述隔离层包括下层结构、中层结构和上层结构，所述方法，包括：针对待制备接触孔，在对应的目标上端面生成掩膜层，在所述掩膜层上曝光出目标接触孔图形，所述目标接触孔包括目标位线接触孔、目标字线接触孔、目标有源区接触孔和目标栅极接触孔，所述目标位线接触孔表征用于与所述位线相连接的接触孔，所述目标字线接触孔表征用于与所述字线相连接的接触孔，所述目标有源区接触孔表征用于与所述有源区相连接的接触孔，所述目标栅极接触孔表征用于与所述栅极结构的栅极相连接的接触孔；按照所述目标接触孔图形进行刻蚀，以裸露出所述目标接触孔位置对应的目标接触
面，所述目标接触面包括目标位线上端面、目标字线上端面、目标有源区上端面和目标栅极上端面；在刻蚀后表面沉积第一绝缘层，并在所述第一绝缘层之上沉积第一氧化层；去除沉积后各水平上端面以上部分的第一绝缘层和第一氧化层，以裸露出所述目标接触面。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述半导体结构还包括设置于所述位线顶部和侧边的第二绝缘层，所述基底上设置有第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述第二绝缘层和所述位线，所述第二氧化层的上端面高于所述第二绝缘层的上端面；当所述目标接触孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冉，马经纶，段蕾蕾，韩欣茹，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：