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本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底，基底内具有多个间隔排布的字线，相邻字线间具有沟槽；位线接触层，位线接触层底面和沟槽底面相接触，且位线接触层在远离沟槽底面的方向上具有非平面接触部；导电层，导电...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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