【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件结构及其制造方法、DRAM和电子设备
[0001]本申请涉及但不限于半导体器件领域，尤指一种半导体器件结构及其制造方法、DRAM和电子设备。
技术介绍
[0002]计算机以及各种电子设备广泛的应用于现代生活的各个方面，对内存产品的需求越来越大。动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种常见的系统内存，每年的产值占整个半导体行业的30％左右。为了快速提高存储器的集成度和可扩展性，半导体器件的集成密度被不断增加，半导体器件的设计尺寸标准也随之不断减小。然而，现在世界前三大DRAM公司正在进入1a技术节点，其栅极长度已经到达15nm(和逻辑的7nm接近)，难以再进一步微缩，而且电容的制备也很难达到工艺要求。
技术实现思路
[0003]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制本申请的保护范围。
[0004]本申请提供了一种半导体器件结构及其制造方法、DRAM和电子设备，该半导体器件结构具有立体堆叠结构，可以增加半导体存储器的存储密...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：衬底；多个存储单元列，每个所述存储单元列均包括沿第一方向堆叠设置在所述衬底一侧的多个存储单元，所述多个存储单元列在所述衬底上沿第二方向和第三方向排列形成阵列；所述存储单元包括晶体管和电容器，所述晶体管包括半导体柱和栅极，所述半导体柱沿第二方向延伸并且在第二方向上包括源极区、沟道区和漏极区，所述源极区和所述漏极区分别位于所述半导体柱的两端，所述沟道区位于所述源极区和所述漏极区之间，所述半导体柱包括第一半导体层和设置在所述第一半导体层四周的筒状的第二半导体层，所述栅极环绕在所述沟道区的第二半导体层四周；所述电容器环绕在所述漏极区的第二半导体层远离所述沟道区一端的四周；多条沿第一方向延伸的位线，沿第二方向上相邻的两个存储单元列的多个存储单元的晶体管的源极区均与一条共用的位线连接；多条沿第三方向延伸的字线，其中，所述衬底在第三方向上设置有一个存储单元列，此时每条所述字线由沿第三方向排列的一个存储单元列的一个存储单元的晶体管的栅极形成；或者，所述衬底在第三方向上设置有多个存储单元列，此时每条所述字线由沿第三方向排列的多个存储单元的晶体管的栅极连接在一起形成。2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，沿第一方向排列的多条字线的长度不同，形成阶梯状；任选地，所述字线的材料为ITO。3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述第一半导体层的材料选自第IVA族半导体材料中的任意一种或多种；任选地，第一半导体层的材料为单晶硅；所述第二半导体层的材料选自IGZO、ZTO、IZO、ZnO
x
、InWO、IZTO、InO
x
、In2O3、SnO2、TiO
x
、Zn
x
O
y
N
z
、Mg
x
Zn
y
O
z
、Zr
x
In
y
Zn
z
O
a
、Hf
x
In
y
Zn
z
O
a
、Al
x
Sn
y
In
z
Zn
a
O
d
、Si
x
In
y
Zn
z
O
a
、Al
x
Zn
y
Sn
z
O
a
、Ga
x
Zn
y
Sn
z
O
a
、Zr
x
Zn
y
Sn
z
O
a
和InGaSiO中的任意一种或多种。4.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的半导体器件结构，其中，所述电容器包括内电极板、外电极板、设置在所述内电极板和所述外电极板之间的介电质层，所述漏极区的第二半导体层与所述内电极板相连接。5.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的半导体器件结构，其中，所述存储单元列还包括层间隔离带，所述层间隔离带设置在所述存储单元列中相邻的两个存储单元的晶体管的栅极之间，将相邻的两个存储单元的晶体管的栅极隔离开；任选地，所述层间隔离带的材料为氧化硅。6.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的半导体器件结构，其中，所述晶体管还包括栅极介电层，所述栅极介电层设置在所述沟道区的第二半导体层与所述栅极之间；任选地，所述栅极介电层的材料选自二氧化硅、HfO2、ZrO和Al2O3中...
【专利技术属性】
技术研发人员：王祥升，王桂磊，赵超，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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