晶圆及其刻蚀方法技术

本发明专利技术提供一种晶圆及其刻蚀方法，该晶圆刻蚀方法包括：在晶圆的边缘制作抗刻蚀保护层，抗刻蚀保护层用于在刻蚀过程中保护晶圆的边缘不被刻蚀；对晶圆的表面涂覆光刻胶；对晶圆的表面进行刻蚀处理，晶圆的边缘在抗刻蚀保护层对应的位置形成隔断圈部，在晶圆的表面刻蚀出沟槽，至少一个沟槽被隔断圈部隔断；去除在晶圆的边缘的抗刻蚀保护层。通过在晶圆的表面设置抗刻蚀保护层，使得晶圆的边缘收到保护，使得晶圆表面的沟槽能够被隔断，阻挡沟槽贯穿至晶圆的边缘，使得该沟槽能够在晶圆的边缘得到隔断和封闭，避免沟槽内的填充物从沟槽内脱落，从而避免晶圆的边缘产生缺陷，提高晶圆的良率。圆的良率。圆的良率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆及其刻蚀方法


[0001]本专利技术涉及晶圆刻蚀
，特别涉及一种晶圆及其刻蚀方法。

技术介绍

[0002]半导体制造中某些工艺需在光刻后刻蚀出沟槽，用于后续填充等形成沟槽结构。由于工艺需求等在晶圆边缘区域同样曝光，导致需刻蚀沟槽延伸到晶圆边缘区域，此区域在后续膜层生长后由于不能受力，从而导致膜层容易脱落，从而导致晶圆的边缘的缺陷，严重影响产品性能。针对此缺陷目前有些刻蚀设备增加了压环结构，但压环结果易带来晶圆其他脏污缺陷，且不能有效避免湿法刻蚀对晶圆的边缘的刻蚀。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种晶圆及其刻蚀方法。
[0004]一种晶圆刻蚀方法，包括：
[0005]在晶圆的边缘制作抗刻蚀保护层，其中，所述抗刻蚀保护层用于在刻蚀过程中保护所述晶圆的边缘不被刻蚀；
[0006]对所述晶圆的表面涂覆光刻胶；
[0007]对所述晶圆的表面进行刻蚀处理，所述晶圆的边缘在所述抗刻蚀保护层对应的位置形成隔断圈部，在所述晶圆的表面刻蚀出沟槽，至少一个所述沟槽被所述隔断圈本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆刻蚀方法，其特征在于，包括：在晶圆的边缘制作抗刻蚀保护层，其中，所述抗刻蚀保护层用于在刻蚀过程中保护所述晶圆的边缘不被刻蚀；对所述晶圆的表面涂覆光刻胶；对所述晶圆的表面进行刻蚀处理，所述晶圆的边缘在所述抗刻蚀保护层对应的位置形成隔断圈部，在所述晶圆的表面刻蚀出沟槽，至少一个所述沟槽被所述隔断圈部隔断；去除在所述晶圆的边缘的抗刻蚀保护层。2.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述在晶圆的边缘制作抗刻蚀保护层的步骤包括：在晶圆的边缘涂覆保护胶，在所述晶圆的边缘形成所述抗刻蚀保护层。3.根据权利要求2所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述抗刻蚀保护层的材质为负胶，所述光刻胶为正胶；所述在晶圆的边缘涂覆抗刻蚀保护层的步骤包括：在晶圆的边缘涂覆负胶；所述对所述晶圆的表面涂覆光刻胶的步骤包括：对所述晶圆的表面涂覆正胶。4.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述在晶圆的边缘制作抗刻蚀保护层的步骤包括：采用沉积的方式在所述晶圆的边缘制作所述抗刻蚀保护层。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳金亮，罗海辉，谭灿健，罗湘，王志轮，
申请(专利权)人：株洲中车时代半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：