【技术实现步骤摘要】
半导体结构制备方法及半导体结构
[0001]本公开涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构。
技术介绍
[0002]存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件，按存储器的使用类型可分为ROM（Read
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Only Memory，只读存储器）和RAM（Random Access Memory，随机存取存储器），根据存储单元的工作原理不同，随机存取存储器分为SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）和DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器），DRAM与SRAM相比具有集成度高、功耗低及价格便宜等优点，在大容量存储器中被普遍采用。
[0003]然而，在存储器的制造工艺中，随着工艺节点的不断缩小，半导体结构的尺寸不断缩小，制作小尺寸半导体结构的方法变得更加复杂，制作成本更高。
技术实现思路
[0004]基于此，本公开提供一种半导体结构制备方法及半导体结构，可以减少所需的光罩数量，降低工艺复杂度，进而降低制作成本。
[0005]为实现上...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成过渡掩膜层；在所述过渡掩膜层内形成基准开口子阵列，所述基准开口子阵列包括沿第一方向和第二方向间隔阵列排布的多个开口；所述第一方向与所述第二方向相交；在所述过渡掩膜层内分别形成多个补充开口子阵列，以得到目标开口阵列，所述目标开口阵列包括所述基准开口子阵列和所述多个补充开口子阵列，所述基准开口子阵列和所述多个补充开口子阵列组成的集合中的任意两个开口子阵列之间通过平移能够相互重合，且所述任意两个开口子阵列中的全部开口相互间隔排布；基于具有所述目标开口阵列的所述过渡掩膜层刻蚀所述基底，以得到目标结构。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述目标开口阵列具有目标区域，所述目标区域包括所述多个补充开口子阵列中的全部开口子阵列所在区域与所述基准开口子阵列所在区域的交叠区域。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述目标开口阵列还具有位于所述目标区域至少一侧的冗余区域，所述目标区域中的开口分布密度大于所述冗余区域中的开口分布密度。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述基于具有所述目标开口阵列的所述过渡掩膜层刻蚀所述基底，包括：在具有所述目标开口阵列的所述过渡掩膜层上形成覆盖掩膜层，所述覆盖掩膜层暴露出所述目标区域；基于所述覆盖掩膜层及所述过渡掩膜层刻蚀所述基底，以得到目标结构。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述目标结构包括阵列排布的多个有源区和定义所述多个有源区的沟槽；所述多个有源区与所述目标区域中的开口对应。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，还包括：在所述沟槽中填充绝缘材料以形成沟槽隔离结构。7.根据权利要求1
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6任一项所述的制备方法，其特征在于，采用相同的图案化方法分别形成所述基准开口子阵列和所述多个补充开口子阵列中的每一个开口子阵列。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述图案化方法包括：在当前的过渡掩膜层上依次形成第一硬掩膜层、第二硬掩膜层和光刻胶材料层；图案化所述光刻胶材料层，以形成初始开口阵列；形成牺牲层，所述牺牲层随形覆盖具有所述初始开口阵列的所述光刻胶材料层；以所述牺牲层和具有所述初始开口阵列的所述光刻胶材料层为掩膜刻蚀所述第二硬掩膜层、所述第一硬掩膜层和所述过渡掩膜层，以在所述过渡掩膜层中形成相应的开口子阵列。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，相邻的两次图案化方法中，前一次图案化方法形成的开口子阵列被后一次图案化方法中形成的第一硬掩膜层填充。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，还包括：在实施最后一次图案方法后，去除之前的各次图案化方法形成的各个开口子阵列中填充的第一硬掩膜层。11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述基底包括衬底及于所述衬底上
依次叠置的第三硬掩膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈小龙，王春阳，吴双双，王少伟，高远皓，章慧，付友，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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