电子装置的制造方法制造方法及图纸

一种电子装置的制造方法，其至少具备如下工序：工序(A)，准备结构体(100)，所述结构体(100)具备具有电路形成面(30A)的电子部件(30)和贴合于电子部件(30)的电路形成面(30A)侧的粘着性膜(50)；工序(B)，将电子部件(30)的与电路形成面(30A)侧相反一侧的面进行背面研磨；以及工序(C)，对粘着性膜(50)照射紫外线之后，从电子部件(30)除去粘着性膜(50)，粘着性膜(50)具备基材层(10)和设置于基材层(10)的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层(20)，在工序(C)中，通过下述方法测定的照射紫外线后的粘着性膜(50)的60

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及电子装置的制造方法。

技术介绍

[0002]在电子装置的制造工序中，在磨削电子部件的工序中，为了固定电子部件、或防止电子部件的损伤，会在电子部件的电路形成面粘贴粘着性膜。
[0003]这样的粘着性膜一般使用在基材膜上层叠有粘着性树脂层而成的膜。
[0004]伴随着高密度安装技术的进步，要求半导体晶片等电子部件的薄厚度化，例如要求薄厚度加工至50μm以下的厚度。
[0005]作为这样的薄厚度加工之一，有先切割法，即：在电子部件的磨削加工之前，在电子部件的表面形成预定深度的槽，接着进行磨削，从而将电子部件单片化。另外，还有先隐形法，即：在磨削加工之前，对电子部件内部照射激光，从而形成改性区域，接着进行磨削从而将电子部件单片化。
[0006]作为与这样的先切割法、先隐形法用的粘着性膜相关的技术，例如可列举专利文献1(日本特开2014
‑
75560号公报)和专利文献2(日本特开2016
‑
72546号公报)所记载的技术。
[0007]专利文献1中记载了一种表面保护片，其为在基材上具有粘着剂层的表面保护片，满足下述要件(a)～(d)。
[0008](a)上述基材的杨氏模量为450MPa以上；
[0009](b)上述粘着剂层的25℃时的储能模量为0.10MPa以上；
[0010](c)上述粘着剂层的50℃时的储能模量为0.20MPa以下；
[0011](d)上述粘着剂层的厚度为30μm以上。
[0012]专利文献1中记载了：这样的表面保护片在工件的背面磨削工序时，能够抑制水从工件被割断而形成的间隙浸入工件的被保护表面(废渣浸入)，防止工件的被保护表面的污染。
[0013]专利文献2中记载了一种半导体晶片表面保护用粘着胶带，其特征在于，具有基材树脂膜和形成于上述基材树脂膜的至少单面侧的放射线固化性的粘着剂层，上述基材树脂膜具有至少一层拉伸弹性模量为1～10GPa的刚性层，使上述粘着剂层放射线固化之后的剥离角度30
°
时的剥离力为0.1～3.0N/25mm。
[0014]专利文献2中记载了：根据这样的半导体晶片表面保护用粘着胶带，能够在应用了先切割法或先隐形法的半导体晶片的背面磨削工序中，抑制被单片化的半导体芯片的划痕移动(kerf shift)，并且将半导体晶片没有破损、污染地进行加工。
[0015]现有技术文献
[0016]专利文献
[0017]专利文献1：日本特开2014
‑
75560号公报
[0018]专利文献2：日本特开2016
‑
72546号公报

技术实现思路

[0019]专利技术要解决的课题
[0020]根据本专利技术人等的研究，例如明确了在使用了先切割法、先隐形法等的电子装置的制造工艺中，在背面研磨工序之后从电子部件剥离粘着性膜时，电子部件侧容易产生残胶。
[0021]本专利技术是鉴于上述情况而完成的专利技术，提供能够在背面研磨工序之后，抑制从电子部件剥离粘着性膜时的电子部件侧的残胶的电子装置的制造方法。
[0022]用于解决课题的方法
[0023]本专利技术人等为了实现上述课题而反复深入研究。其结果发现：通过将照射紫外线后的粘着性膜的60
°
剥离强度调节为特定范围，从而能够在背面研磨工序之后，抑制从电子部件剥离粘着性膜时的电子部件侧的残胶，由此完成本专利技术。
[0024]根据本专利技术，提供以下所示的电子装置的制造方法。
[0025][1][0026]一种电子装置的制造方法，其至少具备如下工序：
[0027]工序(A)，准备结构体，所述结构体具备具有电路形成面的电子部件和贴合于上述电子部件的上述电路形成面侧的粘着性膜，
[0028]工序(B)，将上述电子部件的与上述电路形成面侧相反一侧的面进行背面研磨，以及
[0029]工序(C)，对上述粘着性膜照射紫外线之后，从上述电子部件除去上述粘着性膜，
[0030]上述粘着性膜具备基材层和设置于上述基材层的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层，
[0031]在上述工序(C)中，通过下述方法测定的照射紫外线后的上述粘着性膜的60
°
剥离强度为0.4N/25mm以下5.0N/25mm以下。
[0032](方法)
[0033]使用拉伸试验机，在23℃、速度150mm/分钟的条件下将照射紫外线后的上述粘着性膜从上述电子部件向60
°
方向剥离，将此时的强度(N/25mm)设为60
°
剥离强度。
[0034][2][0035]根据上述[1]所述的电子装置的制造方法，
[0036]上述工序(A)包含如下工序：
[0037]工序(A1)，选自将上述电子部件进行半切割的工序(A1
‑
1)和对上述电子部件照射激光而在上述电子部件形成改性层的工序(A1
‑
2)中的至少一种；
[0038]工序(A2)，在上述工序(A1)之后，在上述电子部件的上述电路形成面侧粘贴上述粘着性膜。
[0039][3][0040]根据上述[1]或[2]所述的电子装置的制造方法，
[0041]上述工序(C)中，通过对上述粘着性膜照射200mJ/cm2以上2000mJ/cm2以下的剂量的紫外线，从而使上述粘着性树脂层紫外线固化而使上述粘着性树脂层的粘着力降低之后，从上述电子部件除去上述粘着性膜。
[0042][4][0043]根据上述[1]至[3]中任一项所述的电子装置的制造方法，
[0044]上述粘着性树脂层包含分子中具有聚合性碳
‑
碳双键的(甲基)丙烯酸系树脂和光引发剂。
[0045][5][0046]根据上述[1]至[4]中任一项所述的电子装置的制造方法，
[0047]上述粘着性树脂层的厚度为5μm以上300μm以下。
[0048][6][0049]根据上述[1]至[5]中任一项所述的电子装置的制造方法，
[0050]构成上述基材层的树脂包含选自聚烯烃、聚酯、聚酰胺、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、乙烯
‑
乙酸乙烯酯共聚物、聚丙烯腈、聚碳酸酯、聚苯乙烯、离子交联聚合物、聚砜、聚醚砜和聚苯醚中的一种或两种以上。
[0051]专利技术效果
[0052]根据本专利技术，能够提供一种电子装置的制造方法，其在背面研磨工序之后，能够抑制从电子部件剥离粘着性膜时的电子部件侧的残胶。
附图说明
[0053]图1是示意性表示本专利技术涉及的实施方式的粘着性膜的结构的一例的截面图。
[0054]图2是示意性表示本专利技术涉及的实施方式的电子装置的制造方法的一例的截面图。
具体实施方式
[0055]以下，使用附本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子装置的制造方法，其至少具备如下工序：工序(A)，准备结构体，所述结构体具备具有电路形成面的电子部件和贴合于所述电子部件的所述电路形成面侧的粘着性膜，工序(B)，将所述电子部件的与所述电路形成面侧相反一侧的面进行背面研磨，以及工序(C)，对所述粘着性膜照射紫外线后从所述电子部件除去所述粘着性膜，所述粘着性膜具备基材层和设置于所述基材层的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层，在所述工序(C)中，通过下述方法测定的照射紫外线之后的所述粘着性膜的60
°
剥离强度为0.4N/25mm以上5.0N/25mm以下，方法：使用拉伸试验机，在23℃、速度150mm/分钟的条件下将照射紫外线后的所述粘着性膜从所述电子部件向60
°
方向剥离，将此时的强度(N/25mm)设为60
°
剥离强度。2.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，所述工序(A)包含如下工序：工序(A1)，选自将所述电子部件进行半切割的工序(A1
‑
1)和对所述电子部件照射激光而在所述电子部件形成改性层的工序(A1...

【专利技术属性】
技术研发人员：安井浩登，栗原宏嘉，木下仁，
申请(专利权)人：三井化学东赛璐株式会社，
类型：发明
国别省市：