光刻胶形成设备及方法技术

本申请公开一种光刻胶形成设备及方法，其中光刻胶形成设备包括旋转吸盘和热量调节设备；所述旋转吸盘用于承载晶圆，并向所承载的晶圆表面旋涂初始膜层；所述热量调节设备设于所述晶圆的至少一侧，用于调节光刻胶的受热状态。本申请得到的光刻胶表面平整，采用上述光刻胶进行后续光刻等工艺，能够精准地进行相关工艺控制，提升对应工艺的质量。提升对应工艺的质量。提升对应工艺的质量。

【技术实现步骤摘要】
光刻胶形成设备及方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种光刻胶形成设备及方法。

技术介绍

[0002]光刻工艺是半导体工艺中的重要工艺，该工艺能够在光照作用下，借助光致抗蚀剂将掩膜版上的图形转移到基片上。光刻工艺的过程可以包括：首先紫外光通过掩膜版照射到覆有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶，使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上；最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。其中光刻胶的质量对整个光刻工艺的质量具有重要作用，专利技术人在研究过程中发现，有些工艺中的光刻胶存在不平整的问题，容易影响后续工艺控制过程，从而影响光刻工艺的质量。

技术实现思路

[0003]鉴于此，本申请提供一种光刻胶形成设备及方法，以解决有些工艺中的光刻胶存在不平整的问题，容易影响后续工艺控制过程，从而影响光刻工艺质量的技术问题。
[0004]本申请提供一种光刻胶形成设备，所述光刻胶形成设备包括旋转吸盘和热量调节设备；
[0005]所述旋转吸盘用于承载晶圆，并向所承载的晶圆表面旋涂初始膜层；
[0006]所述热量调节设备设于所述晶圆的至少一侧，用于调节光刻胶的受热状态。
[0007]可选地，所述热量调节设备包括位于所述晶圆边缘上方的第一调节设备和位于所述晶圆边缘下方的第二调节设备。
[0008]可选地，所述第一调节设备和所述第二调节设备关于所述晶圆对称。
[0009]可选地，所述光刻胶形成设备还包括所述热量调节设备至少一侧的第一挡光板；所述第一挡光板用于阻挡所述热量调节设备产生的热量射向除所述晶圆边缘以外的区域。
[0010]可选地，所述光刻胶形成设备还包括烘烤设备；所述烘烤设备设于所述旋转吸盘的正上方，用于烘烤所述旋转吸盘正上方的光刻胶。
[0011]可选地，所述热量调节设备为所述晶圆的边缘区域提供第一温度环境，所述烘烤设备为所述晶圆的中间区域提供第二温度环境，所述光刻胶在所述第一温度环境和所述第二温度环境中达到均匀受热的状态。
[0012]可选地，所述光刻胶形成设备还包括设于所述烘烤设备和所述旋转吸盘之间的第二挡光板；所述第二挡光板用于阻挡进入所述光刻胶中间区域的部分热量。
[0013]可选地，所述热量调节设备包括发热模块或者光发射模块。
[0014]本申请还提供一种光刻胶形成方法，所述光刻胶形成方法包括：
[0015]将晶圆吸附在旋转吸盘表面；
[0016]在吸附的所述晶圆表面旋涂初始膜层，并调节所述晶圆表面至少边缘区域的受热状态，以形成光刻胶。
[0017]可选地，所述调节所述晶圆表面至少边缘区域的受热状态，包括：分别调节所述晶圆的上表面边缘区域和下表面边缘区域的受热状态，以使所述晶圆的边缘区域和中间区域均匀受热。
[0018]可选地，所述热量调节设备为所述晶圆的边缘区域提供第一温度环境；所述光刻胶形成方法还包括：开启所述晶圆正上方的烘烤设备，以使所述烘烤设备为所述晶圆的中间区域提供第二温度环境，所述晶圆表面的光刻胶在所述第一温度环境和所述第二温度环境中达到均匀受热的状态。
[0019]可选地，所述光刻胶形成方法还包括：在旋涂所述初始膜层之前，烘烤所述晶圆，并至少调节所述晶圆的边缘区域的受热状态，以使整个所述晶圆均匀受热。
[0020]可选地，所述光刻胶形成方法还包括：在所述光刻胶曝光前，至少调节所述晶圆的边缘区域的受热状态，以使所述晶圆表面的光刻胶均匀受热。
[0021]可选地，所述光刻胶形成方法还包括：在所述光刻胶曝光后，至少调节所述晶圆的边缘区域的受热状态，以使所述晶圆表面的光刻胶均匀受热。
[0022]本申请提供的光刻胶形成设备及方法，通过旋转吸盘承载晶圆，在晶圆的至少一侧设置热调节设备，通过热量调节设备调节光刻胶的受热状态，使光刻胶在相关工艺过程中能够均匀受热，这样初始膜层能够均匀稳定地固化成对应的光刻胶，最终得到的光刻胶表面平整，采用上述光刻胶进行后续光刻等工艺，能够精准地进行相关工艺控制，提升对应工艺的质量。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1是研究过程中的光刻胶示意图；
[0025]图2是本申请一实施例的光刻胶形成设备结构示意图；
[0026]图3是本申请另一实施例的光刻胶形成设备结构示意图；
[0027]图4是本申请另一实施例的光刻胶形成设备结构示意图；
[0028]图5是本申请另一实施例的光刻胶形成设备结构示意图；
[0029]图6是本申请另一实施例的光刻胶形成设备结构示意图；
[0030]图7是本申请另一实施例的光刻胶形成设备结构示意图；
[0031]图8a、图8b和图8c是本申请另一实施例的光刻胶形成设备结构示意图；
[0032]图9是本申请一实施例的光刻胶形成方法流程示意图。
具体实施方式
[0033]专利技术人对光刻胶的形成过程进行研究，光刻胶形成过程包括：在晶圆表面形成旋涂层等初始膜层，通过烘烤和/或气体吹扫等方式固化初始膜层，以得到位于晶圆表面的光刻胶。专利技术人研究发现上述方式形成的光刻胶边缘不平整，具体原因包括，若承载晶圆的旋转吸盘的温度高于环境温度，那么吸盘正上方的光刻胶与吸盘边缘以外的光刻胶容易出现
受热不均的问题，这些受热不均的问题便容易导致光刻胶的边缘不平整，例如参考图1所示，光刻胶的边缘部分低于其中间部位，这样容易导致后续工艺过程控制效果差，从而影响光刻工艺的质量。
[0034]针对上述问题，本申请通过旋转吸盘承载晶圆，在晶圆的至少一侧设置热调节设备，通过热量调节设备调节光刻胶的受热状态，使光刻胶在相关工艺过程中能够均匀受热，这样初始膜层能够均匀稳定地固化成对应的光刻胶，最终得到的光刻胶表面平整，采用上述光刻胶进行后续光刻等工艺，能够精准地进行相关工艺控制，提升对应工艺的质量。
[0035]下面结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而非全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。
[0036]本申请第一方面提供一种光刻胶形成设备，参考图2和图3所示，所述光刻胶形成设备包括旋转吸盘110和热量调节设备130。
[0037]所述旋转吸盘110用于承载晶圆120，并向所承载的晶圆120表面旋涂初始膜层，上述初始膜层用于形成光刻胶。
[0038]所述热量调节设备130设于所述晶圆120的至少一侧，热量调节设备130用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶形成设备，其特征在于，所述光刻胶形成设备包括旋转吸盘和热量调节设备；所述旋转吸盘用于承载晶圆，并向所承载的晶圆表面旋涂初始膜层；所述热量调节设备设于所述晶圆的至少一侧，用于调节光刻胶的受热状态。2.根据权利要求1所述的光刻胶形成设备，其特征在于，所述热量调节设备包括位于所述晶圆边缘上方的第一调节设备和位于所述晶圆边缘下方的第二调节设备。3.根据权利要求2所述的光刻胶形成设备，其特征在于，所述第一调节设备和所述第二调节设备关于所述晶圆对称。4.根据权利要求2所述的光刻胶形成设备，其特征在于，所述光刻胶形成设备还包括所述热量调节设备至少一侧的第一挡光板；所述第一挡光板用于阻挡所述热量调节设备产生的热量射向除所述晶圆边缘以外的区域。5.根据权利要求2所述的光刻胶形成设备，其特征在于，所述光刻胶形成设备还包括烘烤设备；所述烘烤设备设于所述旋转吸盘的正上方，用于烘烤所述旋转吸盘正上方的光刻胶。6.根据权利要求5所述的光刻胶形成设备，其特征在于，所述热量调节设备为所述晶圆的边缘区域提供第一温度环境，所述烘烤设备为所述晶圆的中间区域提供第二温度环境，所述光刻胶在所述第一温度环境和所述第二温度环境中达到均匀受热的状态。7.根据权利要求5所述的光刻胶形成设备，其特征在于，所述光刻胶形成设备还包括设于所述烘烤设备和所述旋转吸盘之间的第二挡光板；所述第二挡光板用于阻挡进入所述光刻胶中间区域的部分热量。8.根据权利要求1所述的光刻胶形成设备，其特征在于，所述热...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘利晨，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：