一种电子产品导热储热结构件的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种电子产品导热储热结构件的制备方法，包括以下步骤：称取10

【技术实现步骤摘要】
一种电子产品导热储热结构件的制备方法


[0001]本专利技术涉及电子产品材料的制备方法
，尤其涉及一种电子产品导热储热结构件的制备方法。

技术介绍

[0002]随着电子产品日益发展，各类产品的功能越来越强大，随之而来的时产品的芯片运算负荷越来越高，但是另一方面产品朝着“小型化，轻量化”的趋势发展，产品的功耗密度越来越高，散热的压力越来越大。现有的电子产品所使用的结构件主要有两种，金属与高分子非金属材料制备而成，金属结构件具有结构强度高、导热率高的特点。
[0003]经检索，公告号CN202210375694.1的中国专利，公开了一种电子产品用导热材料及其制备方法和应用，其目的是制得的成品导热在导热的同时，增加应用场合。
[0004]但是当电子产品工作时金属结构件不能起到储热作用，可能会导致电子产品局部温度过高或者芯片超温，同金属结构件加工工艺难度偏大，成本偏高。非金属制备的结构件，具有重量轻，成本底，易加工特性，但是材料导热系数差不具备储热能力，依然不能解决现有电子产品短期高功耗超温的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺陷，而提出的电子产品导热储热结构件的制备方法。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
[0007]一种电子产品导热储热结构件的制备方法，包括以下步骤：
[0008]S1：称取10
‑
40份乙烯基硅油、35
‑
60份Al2O3导热粉末和0r/>‑
60份相变微胶囊；
[0009]S2：添加少量含氢硅油以及微量铂金催化剂与阻聚剂，在真空搅拌机真空搅拌30min左右直至各组成成分充分混合均匀；
[0010]S3：取出物料在压延设备上进行压延成型，所制备产品的厚度为2.0mm。
[0011]进一步地，在步骤S1中，具体称取15份乙烯基硅油、40份Al2O3导热粉末和45份相变微胶囊。
[0012]进一步地，在步骤S1中，具体称取15份乙烯基硅油、60份Al2O3导热粉末和25份相变微胶囊。
[0013]进一步地，在步骤S1中，具体称取15份乙烯基硅油、30份Al2O3导热粉末和55份相变微胶囊。
[0014]相比于现有技术，本专利技术的有益效果在于：
[0015]以硅胶或者聚氨酯等高分子有机物为基材，加入导热陶瓷粉末以及储热功能的储热胶囊制备成的具备导热储热功能的复合材料，再使用模压，压延等工艺方法将复合材料制备成有结构强度的各种结构设计的结构件，用以替代现有的金属或者非金属高分子的结构件，不仅能够起到结构支撑，同时能够起到热量传递与热量储存的作用。
具体实施方式
[0016]下面，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0017]电子产品导热储热结构件的制备方法，包括以下步骤：
[0018]称取10
‑
40份乙烯基硅油、35
‑
60份Al2O3导热粉末和0
‑
60份相变微胶囊；
[0019]添加少量含氢硅油以及微量铂金催化剂与阻聚剂，在真空搅拌机真空搅拌30min左右直至各组成成分充分混合均匀；
[0020]取出物料在压延设备上进行压延成型，所制备产品的厚度为2.0mm。
[0021]在本申请的具体实施例中，导热以及储热功能的粉末为陶瓷粉末，具体包括Al2O3、ZnO和AlN，其中，储热粉末为石蜡相变微胶囊。
[0022]此外，本专利技术的采用压延与模压两种，压延可以将材料制备成不同厚度的板材以供后续使用时进行深加工成不同的型状，模压可以将材料制备不同形状的结构件物料。
[0023]为了更好的理解本专利技术的技术方案，以下结合实施例和对比例进一步说明。
[0024]其中，测试方法采用AMTS5470。
[0025]实施例1：
[0026]采用15份乙烯基硅油，添加40份Al2O3导热粉末45份相变微胶囊，添加少量含氢硅油以及微量铂金催化剂与阻聚剂，在真空搅拌机真空搅拌30min左右直至各组成成分充分混合均匀。取出物料在压延设备上进行压延成型，所制备产品的厚度为2.0mm,测试材料导热率为1.0W/m
·
K，材料的相变焓值为100J/g
·
K。
[0027]实施例2：
[0028]采用15份乙烯基硅油，添加60份Al2O3导热粉末25份相变微胶囊，添加少量含氢硅油以及微量铂金催化剂与阻聚剂，在真空搅拌机真空搅拌30min左右直至各组成成分充分混合均匀。取出物料在压延设备上进行压延成型，所制备产品的厚度为2.0mm,测试材料导热率为1.5W/m
·
K，材料的相变焓值为52J/g
·
K。
[0029]实施例3：
[0030]采用15份乙烯基硅油，添加30份Al2O3导热粉末55份相变微胶囊，添加少量含氢硅油以及微量铂金催化剂与阻聚剂，在真空搅拌机真空搅拌30min左右直至各组成成分充分混合均匀。取出物料在压延设备上进行压延成型，所制备产品的厚度为2.0mm,测试材料导热率为0.4W/m
·
K，材料的相变焓值为120J/g
·
K。
[0031]对比例1：
[0032]采用15份乙烯基硅油，添加85份Al2O3导热粉末添加少量含氢硅油以及微量铂金催化剂与阻聚剂，在真空搅拌机真空搅拌30min左右直至各组成成分充分混合均匀。取出物料在压延设备上进行压延成型，所制备产品的厚度为2.0mm,测试材料导热率为2.5W/m
·
K。
[0033]对比例2：
[0034]采用40份乙烯基硅油，添加60份A相变微胶囊添加少量含氢硅油以及微量铂金催化剂与阻聚剂，在真空搅拌机真空搅拌30min左右直至各组成成分充分混合均匀，取出物料在压延设备上进行压延成型，所制备产品的厚度为2.0mm,测试材料导热率为0.1W/m
·
K，材料的相变焓值为140120J/g
·
K。
[0035]由上述可知，与传统非金属高分子材料相比储热结构材料导热系数更高，并且具
备储热能力；
[0036]储热结构材料具备加工难度小，具备储热能力，导热储热结构件可以起到将温度快速转移并且储存起来，从而减缓芯片以及结构件外壳温度短时间内快速上升的问题。
[0037]以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子产品导热储热结构件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：称取10
‑
40份乙烯基硅油、35
‑
60份Al2O3导热粉末和0
‑
60份相变微胶囊；S2：添加少量含氢硅油以及微量铂金催化剂与阻聚剂，在真空搅拌机真空搅拌30min左右直至各组成成分充分混合均匀；S3：取出物料在压延设备上进行压延成型，所制备产品的厚度为2.0mm。2.根据权利要求1所述的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：段宗顺，刘海，盘文龙，肖金龙，
申请(专利权)人：深圳中诺材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：