电极制造技术

技术编号:37608285 阅读:11 留言:0更新日期:2023-05-18 12:00
解决手段是电极朝向厚度方向一侧依次具备基材膜、无机氧化物层、金属基底层、和导电性碳层。碳层。碳层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电极


[0001]本专利技术涉及电极。

技术介绍

[0002]以往,已知在厚度方向上依次具备膜基材、钛薄膜、和碳薄膜的电极(例如,参见下述专利文献1。)。
[0003]就专利文献1中记载的电极而言,通过钛薄膜提高了导电性,并且短时间内的化学稳定性也提高。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:WO2016/013478号

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]然而,电极有时长期浸渍于电解液中。对于电极,要求抑制上述情况下的损伤。即,对于电极,要求优异的电解液耐久性。
[0009]但是,专利文献1中记载的电极存在不具有上述的优异电解液耐久性这样的不良情况。
[0010]本专利技术提供具有优异的电解液耐久性的电极。
[0011]用于解决课题的手段
[0012]本专利技术(1)包含电极,其朝向厚度方向一侧依次具备基材膜、无机氧化物层、金属基底层、和导电性碳层。
[0013]本专利技术(2)包含(1)所述的电极,其中,前述金属基底层能够与前述导电性碳层的碳形成碳化物。
[0014]本专利技术(3)包含(1)或(2)所述的电极,其中,前述无机氧化物层为金属氧化物层或半金属氧化物层。
[0015]本专利技术(4)包含(3)所述的电极,其中,前述金属氧化物层与前述金属基底层包含相同的金属元素。
[0016]本专利技术(5)包含(4)所述的电极,其中,前述金属元素为钛。
[0017]本专利技术(6)包含(3)~(5)中任一项所述的电极,其特征在于,前述半金属氧化物层包含二氧化硅。
[0018]本专利技术(7)包含(1)至(6)中任一项所述的电极,其中,前述金属氧化物层的厚度为5nm以上。
[0019]本专利技术(8)包含(1)~(7)中任一项所述的电极,其为电化学测定用的电极。
[0020]专利技术的效果
[0021]本专利技术的电极具有优异的电解液耐久性。
附图说明
[0022][图1]图1为本专利技术的电极的一个实施方式的截面图。
[0023][图2]图2为形成有针孔的电极的截面图。
[0024][图3]图3为比较例1的电极的截面图。
[0025][图4]图4为比较例2的电极的截面图。
[0026][图5]图5A至图5B为实施例1的电极的OM图像;图5A示出在电解液中浸渍前的电极,图5B示出在电解液中浸渍后的电极。
[0027][图6]图6A至图6B为实施例2的电极的OM图像;图6A示出在电解液中浸渍前的电极,图6B示出在电解液中浸渍后的电极。
[0028][图7]图7A至图7B为比较例1的电极的OM图像;图7A示出在电解液中浸渍前的电极,图7B示出在电解液中浸渍后的电极。
[0029][图8]图8A至图8B为比较例2的电极的OM图像;图8A示出在电解液中浸渍前的电极,图8B示出在电解液中浸渍后的电极。
具体实施方式
[0030]<一个实施方式>
[0031]参照图1至图2对本专利技术的电极的一个实施方式进行说明。
[0032]如图1所示,电极1具有规定的厚度。电极1具有膜状(包括片状)。电极1朝向厚度方向一侧依次具备基材膜2、无机氧化物层3、金属基底层4、和导电性碳层5。具体而言,电极1仅具备基材膜2、无机氧化物层3、金属基底层4、和导电性碳层5。
[0033]基材膜2具有规定的厚度。作为基材膜2的材料,例如,可举出无机材料、及有机材料。它们可以单独使用或并用。作为无机材料,例如,可举出硅、及玻璃。它们可以单独使用或并用。作为有机材料,例如,可举出树脂材料。作为树脂材料,例如,可举出聚酯树脂、乙酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚碳酸酯树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚烯烃树脂、丙烯酸树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯醇树脂、聚芳酯树脂、及聚苯硫醚树脂。它们可以单独使用或并用。
[0034]作为基材膜2的材料,优选可举出有机材料,更优选可举出聚酯树脂。作为聚酯树脂,具体而言,可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、及聚萘二甲酸乙二醇酯。作为聚酯树脂,优选可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯。
[0035]基材膜2的厚度没有特别限定。基材膜2的厚度例如为2μm以上,优选为20μm以上,另外,例如为1000μm以下,优选为500μm以下。
[0036]无机氧化物层3配置于基材膜2的厚度方向一面上。具体而言,无机氧化物层3与基材膜2的厚度方向一面整个面相接触。无机氧化物层3具有规定的厚度。
[0037]作为无机氧化物层3,例如,可举出金属氧化物层3A或半金属氧化物层3B。
[0038]金属氧化物层3A为钝态。具体而言,钝态包括金属氧化物。作为金属氧化物,例如,可举出氧化镍、氧化钴、氧化铬、氧化钛、氧化铝、氧化钨、氧化钼、及它们的复合氧化物。它们可以单独使用或并用。从更进一步提高电解液耐久性的观点考虑,优选可举出氧化钛。
[0039]半金属氧化物层3B由半金属的氧化物形成。半金属没有限定。作为半金属,例如,可举出硅、锑、锗、及铋。作为半金属,优选可举出硅。具体而言,作为半金属的氧化物,可举
出氧化硅、氧化锑、氧化锗、及氧化铋。另外,就半金属的氧化物而言,也可举出硼硅酸玻璃等玻璃作为半金属的氧化物。作为半金属的氧化物,从更进一步提高电解液耐久性的观点考虑,优选可举出氧化硅。作为氧化硅,例如,可举出二氧化硅(silica)、及一氧化硅,优选可举出二氧化硅。
[0040]无机氧化物层3的厚度没有特别限定。无机氧化物层3的厚度例如为1nm以上,优选为5nm以上,更优选为5nm以上,另外,例如为50nm以下,优选为25nm以下。
[0041]若无机氧化物层3的厚度为上述的下限以上,则在整个面方向上,无机氧化物层3的均匀性优异。面方向是与厚度方向正交的方向。因此,无机氧化物层3成为连续膜,可期待电极耐久性提高的效果。
[0042]另一方面,若无机氧化物层3的厚度为上述的上限以下,则无机氧化物层3(尤其是金属氧化物层3A)的导电性也优异。
[0043]金属基底层4配置于无机氧化物层3的厚度方向一面上。具体而言,金属基底层4与无机氧化物层3的厚度方向一面的全部相接触。金属基底层4具有规定的厚度。
[0044]金属基底层4的材料为金属。这样的金属优选能够与下文说明的导电性碳层5的碳形成碳化物。作为这样的金属,具体而言,可举出:周期表中的第2族元素;第4族元素至第14族元素;它们的合金。它们可以单独使用或并用。
[0045]另外,金属基底层4与金属氧化物层3A例如包含相同的金属元素。
[0046]关于作为金属基底层4的材料的金属,从确保导电性碳层5的化学稳定性的观点考虑,优选可举出第4族元素,更优选可举出钛、及锆,进一步优选可举出钛。
[0047]尤其优选地,金属氧化物层3A与金属基底层4包含钛作为元素。若金属氧本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.电极,其特征在于,朝向厚度方向一侧依次具备基材膜、无机氧化物层、金属基底层、和导电性碳层。2.如权利要求1所述的电极,其特征在于,所述金属基底层能够与所述导电性碳层的碳形成碳化物。3.如权利要求1或2所述的电极,其特征在于,所述无机氧化物层为金属氧化物层或半金属氧化物层。4.如权利要求3所述的电极,其特征在于,所述金属氧化物层与所述金属基底层包含相同的金属元素。5.如权利要求4所述的电极,其特征在于,所述金属元素为钛。6.如权利要求3~5中任一项所述的电极,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:末次智和拜师基希
申请(专利权)人:日东电工株式会社
类型:发明
国别省市:

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