一种等离子分流盘的洗净剂组合及洗净方法技术

本发明专利技术公开了一种等离子分流盘的洗净剂组合，属于半导体技术领域。所述洗净剂组合包括煮沸洗净剂W1、加压刻蚀洗净剂W2。其中，所述煮沸洗净剂W1为溶有无机碱、无机盐和表面活性剂的有机醇溶液；所述加压刻蚀洗净剂W2为溶有强氧化剂和刻蚀调节剂的含氟酸溶液。本发明专利技术还公开了利用上述洗净剂组合对等离子分流盘进行洗净的方法，包括煮沸洗净、兆声洗净、加压刻蚀洗净、DHF洗净、SC1洗净和SC2洗净。本发明专利技术的洗净剂组合用于经机加工后的等离子分流盘产品的洗净，可有效去除产品表面有机物、金属离子及颗粒物，实现产品超高表面洁净度。实现产品超高表面洁净度。实现产品超高表面洁净度。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子分流盘的洗净剂组合及洗净方法


[0001]本专利技术属于半导体
，具体地，涉及一种等离子分流盘的洗净剂组合及洗净方法。

技术介绍

[0002]半导体硅材料是集成电路芯片制造中不可或缺的核心材料器件，其中等离子分离盘是刻蚀机用硅部件制品。在芯片制程过程中，等离子刻蚀是一种采用等离子的干法蚀刻技术，芯片表面层原子或分子与等离子气氛中的活性原子接触并发生反应，形成气态生成物而离开晶面造成蚀刻。在等离子干法刻蚀机腔体中，等离子体通过分流盘微孔分散后，在电场加速下，以一定能量轰击到晶圆表面，将晶圆表面不需要的掩膜和镀层等从晶圆表面去除，轰击脱落的杂质随着等离子体从腔体中排出。在蚀刻机腔体内，等离子体轰击晶圆的同时，等离子分流盘也会被轰击从而产生损耗，此时，附着于等离子分流盘表面的杂质会随着等离子体一同进入腔体，不仅会污染机台，而且会对晶圆产生不可逆转的缺陷，从而严重影响晶圆成品良率。
[0003]随着集成电路制程向更小更加精细方向发展，全球大尺寸硅片的领先水平已进入10nm制程工艺，未来将成为技术主流，对于晶圆直接或间接接触的相关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子分流盘的洗净剂组合，其特征在于，包括煮沸洗净剂W1、加压刻蚀洗净剂W2，其中，所述煮沸洗净剂W1为溶有无机碱、无机盐和表面活性剂的有机醇溶液；所述加压刻蚀洗净剂W2为溶有强氧化剂和刻蚀调节剂的含氟酸溶液。2.根据权利要求1所述的洗净剂组合，其特征在于，所述煮沸洗净剂W1，其无机碱选自氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂中的至少一种，所述的无机盐选自碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸钾、碳酸氢钾、碳酸锂、硫酸钠、硫酸钾中的至少一种。3.根据权利要求1所述的洗净剂组合，其特征在于，所述的所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚类非离子表面活性剂，所述有机醇选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇中的至少一种。4.根据权利要求1所述的洗净剂组合，其特征在于，所述煮沸洗净剂W1中，包括40
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80重量份45％～50％无机碱溶液，10
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20重量份无机盐，1
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5重量份表面活性剂，10
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40重量份有机醇。5.根据权利要求1所述的洗净剂组合，其特征在于，所述加压刻蚀洗净剂W2中，所述含氟酸为氢氟酸，所述强氧化剂选自硝酸、双氧水、氯酸、高氯酸、溴酸、高溴酸中的至少一种，所述的刻蚀调节剂选自氟化铵、氟化氢铵、氯化铵、溴化铵、硫酸铵、硫酸氢铵中的至少一种。6.根据权利要求1所述的洗净剂组合，其特征在于，所述加压刻蚀洗净剂W2中，包括5
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20重量份4...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志彪，祝建敏，李长苏，王少凡，陶筱林，
申请(专利权)人：杭州盾源聚芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：