增强型半导体结构及其制作方法技术

本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：自下而上分布的半导体衬底、异质结结构、帽层、第一钝化层以及第二钝化层；贯穿第一钝化层与第二钝化层的凹槽；以及至少位于凹槽的内壁的P型半导体层。在干法刻蚀第二钝化层形成凹槽后，第一钝化层可用于刻蚀终点检测，避免过刻蚀。在第二钝化层凹槽处暴露出的第一钝化层，可通过湿法刻蚀去除。湿法刻蚀去除第一钝化层时，帽层具有极高的稳定性，所以湿法腐蚀去除第一钝化层后，不会损伤帽层。无损伤的帽层能有效降低异质结结构的表面缺陷，以降低电子被缺陷捕获的几率，实现减弱电流崩塌效应以及降低动态导通电阻。弱电流崩塌效应以及降低动态导通电阻。弱电流崩塌效应以及降低动态导通电阻。弱电流崩塌效应以及降低动态导通电阻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：