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本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：自下而上分布的半导体衬底、异质结结构、帽层、第一钝化层以及第二钝化层；贯穿第一钝化层与第二钝化层的凹槽；以及至少位于凹槽的内壁的P型半导体层。在干法刻蚀第二钝化层形成凹槽后，第一钝化层...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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