一种横向电场型ＬＣＤ装置使增加设计该装置组成元件的自由度和相对于相关技术的ＬＣＤ结构容易地改善孔径比成为可能。漏极总线由至少一个第一液晶驱动电极（如，公共电极）完全覆盖。对应于每个像素区域的栅极总线除了存在于不与对应的ＴＦＴ叠置的部分中的预定非叠置区域之外，均由所述至少一个第一液晶驱动电极覆盖。对应于每个像素区域的所述栅极总线的所述预定非叠置区域由对应于邻近像素区域的存储电容电极覆盖。优选地，所述至少一个第一液晶驱动电极包括分别暴露所述ＴＦＴｓ的沟道区域的开口。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种液晶显示器(LCD)装置，且更具体地，涉及一种诸如面 内切换(In-Plane Switching) (IPS)型之类的横向电场型有源矩阵寻址LCD装 置。本专利技术应用于监视器，该监视器设计成用于使用横向电场型LCD装置 的计算机、LCD电视、便携电话终端、全球定位系统(GPS)终端、汽车导航 系统、视频游戏机、位于银行或便利店的自动取款机(ATM)终端、医疗诊断 设备等。
技术介绍
通常，LCD装置具有诸如轮廓小、重量轻和低能耗的特性。特别地， 利用有源元件驱动垂直和水平设置在矩阵阵列中的各像素的有源矩阵寻址 LCD装置被认为是高图像质量的平板显示装置。特别地，使用薄膜晶体管 (TFTs)作为用于切换各个像素的有源元件的有源矩阵寻址LCD装置已经广 为流行。多数有源矩阵寻址LCD装置使用由两个基板夹在中间的TN (Twisted Nematic，扭曲向列)类型的液晶材料的电光效应，通过横跨液晶材料施加 近似垂直于基板的主表面的电场，从而使所述材料的液晶分子位移来显示 图像。这些LCD装置被称作"垂直电场"类型。另一方面， 一些有源矩阵 寻址LCD装置通过横跨液晶材料施加近似平行于基板的主表面的电场，从而使所述材料的液晶分子在与主表面平行的平面中位移来显示图像。这些 LCD装置也已公知，被称作"横向电场"类型。不仅对垂直电场类型的LCD 装置而且也对横向电场型的LCD设备进行了多种改进。下面将举例说明对 后者的一些改进。例如，2000年3月31日公开的专利文件l(日本未审査专利公开No. 2000-089240)和2004年2月26日公开的专利文件2(日本未审査专利公开 No. 2004-062145)公开了横向电场型LCD装置，其中每个横向电场型的LCD4装置包括以这样一种方式覆盖有公共电极或电极的漏极总线和栅极总线， 该方式是中间绝缘薄膜介于所述漏极总线和栅极总线之间。在专利文件2中公开的所述LCD装置的结构在图1、 2A至2C和3中示出。图1是示出所述LCD装置的有源矩阵基板的结构的俯视图，图2A、 2B和2C是示出分别组成所述有源矩阵基板的三层的结构的俯视图，及图3 是示出所述有源矩阵基板的栅极总线的详细的邻近结构的局部放大俯视 图。由于有源矩阵寻址LCD装置的所有像素具有相同的结构，在图1至3 中示出一个像素的结构。如在图2A、 2B和2C中清楚示出的，图1中示出的相关技术的LCD 装置的有源矩阵基板包括形成在透明绝缘板(如玻璃板)上的同一层中的栅 极总线155和公共总线152;形成在栅极绝缘薄膜(未示出)上的同一层的漏 极总线156、像素电极171、 TFTsl45和存储电容电极173，该栅极绝缘薄 膜覆盖栅极总线155和公共总线152;及形成在保护绝缘薄膜(未示出)上的 公共电极172，该保护绝缘薄膜覆盖所述漏极总线156、所述像素电极171 所述TFT5 145和所述存储电容电极173。通常，通过图案化例如铟锡氧化 物(ITO)组成的透明导电金属薄膜，分别形成所述像素电极171和所述公共 电极172。沿着图1的横向(水平)方向以相同的间隔相互平行延伸的所述栅极总 线155和沿着同一图的纵向(垂直)方向以相同的间隔相互平行延伸的所述 漏极总线156限定矩形区域。这些矩形区域中的每一个形成像素区域。这 些像素区域(如各像素)作为整体配置成矩阵阵列。所述TFTsl45中的每一 个位于由限定每个像素区域的两条栅极总线155和两条漏极总线156形成 的交叉点中的一个(如，在图1中的左下方的交叉点)交叉点附近。与所述栅 极总线155类似，所述公共总线152沿着同一图中所述横向方向平行于所 述栅极总线155延伸。每条公共总线152在所述像素区域中位于与所述TFT 145相反的侧(如在图1中的上端)。换句话说，它设置为靠近所述两条栅极 总线155中位于所述像素区域中的所述TFT145的远侧的那一条栅极总线 (如所述两条栅极总线155在图1中的上部位置)。因此，可以说，每条公共 总线152沿着远离所述TFTs 145的所述漏极总线156的延伸方向(如，所述 垂直方向)位于存在于向上与之临近的前述像素区域中的所述TFTs 145附近。所述TFT 145的所述漏极电极144、所述源极电极142和所述半导体薄 膜143分别形成为具有图2B所示的图案或形状。所述TFT 145的所述栅极 电极(未示出)形成为与所述栅极总线155混合，换句话说，所述栅极电极是 所述栅极总线155的一部分。所述栅极电极设置在与漏极电极144和源极 电极142之间的半导体薄膜143叠置的位置。通常，非晶硅薄膜用作所述 半导体薄膜143。提供为用于产生液晶驱动电场的所述像素电极171和所述公共电极172 分别形成为具有如图2B和2C所示的图案或形状。每个像素电极171和所 述公共电极172包括分别相互紧密配合的梳齿状部分(如突进到所述像素区 域的薄带状部分)171a和172a。这里，所述像素电极171的所述梳齿状部 分171a的总数目为三；另一方面，每个像素区域的所述公共电极172的所 述梳齿状部分172a的总数目为二。所述公共电极172进一步包括分别形成 在与所述TFT145的沟道区域叠置的位置的开口或窗口 172b。由于这个原 因，所述TFT145的整个沟道区域以不与所述公共电极172叠置的方式从 所述开口 172b中暴露。这避免了由背栅效应导致的所述TFT 145的特性变 化。位于所述源极电极142侧上的所述像素电极171的基部机械且电连接 到所述TFT145的所述源极电极142。而且，位于所述像素区域中的所述源 极电极142相对侧上的所述像素电极171的所述三个梳齿状部分171a机械 且电连接到所述存储电容电极173。通常用于所有像素区域的所述公共电极 172经由各个像素区域中的对应的穿透所述栅极绝缘薄膜和所述保护绝缘 薄膜的接触孔162电连接到下面的公共总线152。在每个像素区域中，所述存储电容电极173设置在与直接位于所述每 个像素区域中的所述电极173下面的所述公共总线152相叠置的位置，在 此位置所述栅极绝缘薄膜插入在所述存储电容电极173和所述公共总线152 之间。存储电容由所述存储电容电极173和对应的公共总线152的叠置部 分形成。换句话说，所述存储电容由所述存储电容电极173、所述对应的公 共线152和插入它们之间的所述栅极绝缘薄膜组成。如图3所示，所述存 储电容不与邻近所述对应公共总线152的所述栅极总线155叠置。如从图2B、 2C和3清楚地所看出的，所述公共电极172覆盖所述漏极 总线156的全部和所述栅极总线155的全部(除了所述开口 172b)，其中所 述漏极总线156沿同一图中的所述垂直方向延伸，所述栅极总线155沿同 一图中的所述横向方向延伸。而且，所述公共电极172形成为不仅覆盖直 接位于所述栅极总线155上面的区域，也覆盖所述栅极总线155和与其邻 近的所述公共总线152之间的间隙(所述邻近的公共总线152中的每一条位 于沿着所述漏极总线156的延伸方向，即所述垂直方向，向下邻接的连续 的像素区域中)、所述栅极总线155和对应的源极电极142之间的间隙、所 述栅极本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种横向电场型液晶显示器装置，包括： 第一基板和第二基板，所述第一基板和第二基板以近似恒定的间隙彼此相对设置； 液晶层，所述液晶层形成在所述第一基板和第二基板之间； 形成在所述第一基板上的漏极总线； 栅极总线，所述栅 极总线以与所述漏极总线交叉的方式形成在所述第一基板上； 像素区域，所述像素区域由所述漏极总线和所述栅极总线限定成矩阵阵列； 形成在所述第一基板上的至少一个第一液晶驱动电极和多个第二液晶驱动电极； 薄膜晶体管，所述薄膜晶体管 形成在所述第一基板上，用于各个像素区域；及 存储电容电极，所述存储电容电极形成在所述第一基板上，用于各个像素区域； 其中通过采用所述至少一个第一液晶驱动电极和所述第二液晶驱动电极向液晶层施加液晶驱动电场，使存在于所述液晶层中的液 晶分子的对准方向在近似平行于所述第一基板和第二基板的平面内旋转，从而显示图像； 所述漏极总线由所述至少一个第一液晶驱动电极完全覆盖； 对应于每个像素区域的所述栅极总线除了存在于不与对应的薄膜晶体管叠置的部分中的预定非叠置区域之外 ，均由所述至少一个第一液晶驱动电极覆盖；且 对应于每个像素区域的所述栅极总线的所述预定非叠置区域由对应于邻近像素区域的所述存储电容电极覆盖。...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：铃木照晃，伊藤英毅，高桥聪之助，西田真一，坂口嘉一，
申请(专利权)人：NEC液晶技术株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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